مواصفات التكنولوجيا 1N4589R
المواصفات الفنية Solid State Inc. - 1N4589R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Solid State Inc. - 1N4589R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Solid State Inc. | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 200 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 300 V | |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-8 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| طَرد | Box | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 50 µA @ 300 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 150A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Solid State Inc. 1N4589R.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N4589R | 1N4588R | 1N4590 | 1N4590 |
| الصانع | Solid State Inc. | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 200 A | 1.1 V @ 200 A | 1.5 V @ 150 A | 1.1 V @ 200 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -60°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 50 µA @ 300 V | 50 µA @ 200 V | 9 mA @ 400 V | 50 µA @ 400 V |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| طَرد | Box | Bulk | Bulk | Bulk |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-8 | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 300 V | 200 V | 400 V | 400 V |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 150A | 150A | 150A | 150A |
| حزمة / كيس | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| سلسلة | - | - | - | - |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N4589R PDF ووثائق Solid State Inc. لـ 1N4589R - Solid State Inc..
1N4588RBMicrosemiIGBT Module1N4588RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 200V 150A DO205AA1N4590GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA1N4589RAMicrosemiIGBT Module1N4590Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
1N4589RPowerex Inc.DIODE GP REV 300V 150A DO205AA1N4588RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 150A DO81N4590Powerex Inc.DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA1N4588RAMicrosemiIGBT Module1N4590Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 150A DO81N4589Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA1N4589RBMicrosemiIGBT Module1N4590RPowerex Inc.DIODE GP REV 400V 150A DO205AA1N4589RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 300V 150A DO205AA1N4588RGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 200V 150A DO205AA1N4590RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 400V 150A DO205AA1N4589Powerex Inc.DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA1N4589Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 150A DO8| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.