مواصفات التكنولوجيا S1BHE3/61T
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1BHE3/61T والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1BHE3/61T
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-214AC (SMA) | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.8 µs |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 µA @ 100 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | S1B |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1BHE3/61T.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | S1BHE3/61T | S1B-E3/61T | S1B-13-F | S1BB-13-F |
| الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AA, SMB |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | 12pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 µA @ 100 V | 1 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.8 µs | 1.8 µs | 3 µs | 3 µs |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| رقم المنتج الأساسي | S1B | S1B | S1B | S1B |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | SMA | SMB |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
قم بتنزيل أوراق بيانات S1BHE3/61T PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ S1BHE3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
S1B-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
S1B65351OMICA-908NA
S1BB-E3Electro-Films (EFI) / VishayS1B T/RPANJIS1B-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMAS1BB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMBS1B-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
S1B R3Taiwan SemiconductorS1B T/R/S1BPANJIT/XX
S1B-13-93-FDiodes IncorporatedS1B-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACS1BHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
S1B_NLFairchild (onsemi)S1B-13-01-FDiodes IncorporatedS1BB-12-FDiodes IncorporatedS1BFSCT-NDFairchild (onsemi)S1B-GS08Electro-Films (EFI) / VishayS1B-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMA| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.