مواصفات التكنولوجيا SIR800ADP-T1-GE3
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - SIR800ADP-T1-GE3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - SIR800ADP-T1-GE3
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay / Siliconix | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.5V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | +12V, -8V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | PowerPAK® SO-8 | |
سلسلة | TrenchFET® Gen IV | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.35mOhm @ 10A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | |
حزمة / كيس | PowerPAK® SO-8 | |
طَرد | Tape & Reel (TR) |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3415 pF @ 10 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 53 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.5V, 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 50.2A (Ta), 177A (Tc) | |
رقم المنتج الأساسي | SIR800 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix SIR800ADP-T1-GE3.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | SIR800ADP-T1-GE3 | SIR804DP-T1-GE3 | SIR798DP-T1-GE3 | SIR802DP-T1-GE3 |
الصانع | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
سلسلة | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | - | TrenchFET® |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
تبديد الطاقة (ماكس) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 83W (Tc) | 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) |
حزمة / كيس | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 53 nC @ 10 V | 76 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V, 10V |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3415 pF @ 10 V | 2450 pF @ 50 V | 5050 pF @ 15 V | 1785 pF @ 10 V |
تجار الأجهزة حزمة | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | 100 V | 30 V | 20 V |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
FET الميزة | - | - | Schottky Diode (Body) | - |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.35mOhm @ 10A, 10V | 7.2mOhm @ 20A, 10V | 2.05Ohm @ 20A, 10V | 5mOhm @ 10A, 10V |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
فغس (ماكس) | +12V, -8V | ±20V | ±20V | ±12V |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
رقم المنتج الأساسي | SIR800 | SIR804 | SIR798 | SIR802 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 50.2A (Ta), 177A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 30A (Tc) |
قم بتنزيل أوراق بيانات SIR800ADP-T1-GE3 PDF ووثائق Vishay Siliconix لـ SIR800ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.