مواصفات التكنولوجيا 1N5062
المواصفات الفنية Harris Corporation - 1N5062 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation - 1N5062
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Harris Corporation | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 2 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOD-57 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 4 µs |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | SOD-57, Axial | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 800 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 40pF @ 0V, 1MHz |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation 1N5062.
| سمة المنتج | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N5062 | 1N5060TR | 1N5062 | 1N5061 |
| الصانع | Harris Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | NTE Electronics, Inc | NTE Electronics, Inc |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bag | Bag |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 4 µs | 4 µs | 4 µs | 4 µs |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | 2A | 3A | 2A |
| تجار الأجهزة حزمة | SOD-57 | SOD-57 | SOD-57 | SOD-64 |
| تكنولوجيا | Standard | Avalanche | Avalanche | Standard |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 800 V | 1 µA @ 400 V | 1 µA @ 800 V | 1 µA @ 600 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 40pF @ 0V, 1MHz | 40pF @ 0V, 1MHz | 40pF @ 0V, 1MHz | 40pF @ 0V, 1MHz |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | 400 V | 800 V | 600 V |
| حزمة / كيس | SOD-57, Axial | SOD-57, Axial | SOD-57, Axial | SOD-64, Axial |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 2 A | 1.15 V @ 2.5 A | 1 V @ 1 A | 1.15 V @ 2.5 A |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| سلسلة | - | - | - | - |
1N5060TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 400V 2A SOD571N5062NTE Electronics, IncDIODE AVALANCHE 800V 3A SOD571N5061NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 2A SOD64
1N5221BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
1N5221Microchip TechnologyZENER DIODE1N5177NJS1N5059-GSI-TGSI Technology
1N5062GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
1N5062Diotec SemiconductorDIODE STD DO-15 800V 2A1N5059GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC1N5061Diotec SemiconductorDIODE STD DO-15 600V 2A1N5062GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC1N5060GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC1N50L-TA3-TVBsemi1N5179APD1N5061GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC1N5059TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
1N5061-TRElectro-Films (EFI) / Vishay| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.