مواصفات التكنولوجيا ADP3412JR
المواصفات الفنية Analog Devices Inc. - ADP3412JR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Analog Devices Inc. - ADP3412JR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Analog Devices, Inc. | |
| الجهد - توريد | 4.15V ~ 7.5V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 20ns, 20ns | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 125°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2V | |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 30 V | |
| نوع البوابة | N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | - | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Synchronous | |
| رقم المنتج الأساسي | ADP3412 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Analog Devices Inc. ADP3412JR.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | ADP3412JR | ADP3410KRU-REEL7 | ADP3412JR | ADP3414JR |
| الصانع | Analog Devices Inc. | onsemi | onsemi | Analog Devices Inc. |
| تردد الإدخال | 2 | 2 | 2 | 2 |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 30 V | 30 V | 30 V | - |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 14-TSSOP (0.173', 4.40mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 14-TSSOP | 8-SOIC | 8-SOIC |
| نوع البوابة | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| رقم المنتج الأساسي | ADP3412 | ADP3410 | ADP3412 | ADP3414 |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2V | 0.8V, 2V | 0.8V, 2V | 0.8V, 2.3V |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | High-Side |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns | - |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Synchronous | Synchronous | Synchronous | Synchronous |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| الجهد - توريد | 4.15V ~ 7.5V | 4.15V ~ 6V | 4.15V ~ 7.5V | 4.15V ~ 7.5V |
| سلسلة | - | - | - | - |
ADP3413JADI (Analog Devices, Inc.)ADP3414JR-REELADI (Analog Devices, Inc.)ADP3414JADI (Analog Devices, Inc.)ADP3410KRU-REEL7onsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14TSSOPADP3410ADI (Analog Devices, Inc.)ADP3410KRUADI (Analog Devices, Inc.)ADP3408ARU-1.8-RL7Analog Devices Inc.IC PWR MANAGE GSM 1.8V 28-TSSOPADP3412JRonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICADP3408ARU-2.5-RL7Analog Devices Inc.IC PWR MANAGE GSM 2.5V 28-TSSOPADP3414JRAnalog Devices Inc.DUAL BOOTSTRAPPED MOSFET DRIVERADP3412TRADI (Analog Devices, Inc.)ADP3413JR-REELAnalog Devices Inc.DUAL BOOTSTRAPPED MOSFET DRIVERADP3408ACP-2.5-RL7Analog Devices Inc.IC PWR MANAGE GSM 2.5V 32-LFCSP
ADP3412JR-REELAnalog Devices Inc.IC MOSFET DVR DUAL N-CH 8-SOICADP3412JADI (Analog Devices, Inc.)ADP3410KADI (Analog Devices, Inc.)ADP3408ARU-2.5ADI (Analog Devices, Inc.)ADP3412JR-REEL7Analog Devices Inc.DUAL MOSFET DRIVER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.