مواصفات التكنولوجيا 1N4007
المواصفات الفنية onsemi - 1N4007 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - 1N4007
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-41 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-204AL, DO-41, Axial |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 1000 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4007 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi 1N4007.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N4007 | 1N4007 | 1N4006-E3/54 | 1N4007 |
| الصانع | onsemi | Diotec Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Rectron USA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 800 V | 200 nA @ 1000 V |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4007 | - | 1N4006 | - |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-41 | DO-41/DO-204AC | DO-204AL (DO-41) | DO-41 |
| حزمة / كيس | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AC, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | 1000 V | 800 V | 1000 V |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 15pF @ 4V, 1MHz | - | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | -50°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 1A | 1A |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N4007 PDF ووثائق onsemi لـ 1N4007 - onsemi.
1N4007Diotec SemiconductorDIODE STD DO-41 1000V 1A1N4006-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4007Rectron USADIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007EIC SEMICONDUCTOR INC.DIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007 M7STARSEA1N4006-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
1N4007Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006G-T-S-NTRectron USA1N4007 A71N4007SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007 M7 SMAMIC1N4006_AY_10001PANJIT1N4006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4006GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4007Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006GonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N4006FFGonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N4007NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A DO41| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.