مواصفات التكنولوجيا 1N4937G
المواصفات الفنية onsemi - 1N4937G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - 1N4937G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 1 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | Axial | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 300 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4937 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi 1N4937G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N4937G | 1N4937G | 1N4937E-E3/54 | 1N4937GP-E3/54 |
| الصانع | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | 10pF @ 4V, 1MHz | 12pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz |
| تجار الأجهزة حزمة | Axial | DO-204AL (DO-41) | DO-204AL (DO-41) | DO-204AL (DO-41) |
| حزمة / كيس | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4937 | 1N4937 | 1N4937 | 1N4937 |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 300 ns | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | - | - | - | SUPERECTIFIER® |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N4937G PDF ووثائق onsemi لـ 1N4937G - onsemi.
1N4937GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL1N4937E-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL1N4937GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
1N4937FRLAMI Semiconductor/onsemi1N4937RLonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N4937_AY_10001PANJIT1N4937RLGONsemi1N4937_AY_10001-PECPANJIT
1N4937E-E3/16Electro-Films (EFI) / Vishay
1N4937-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 1A DO411N4937SPANJIT1N4937Diotec SemiconductorDIODE FR DO-41 600V 1A1N4937onsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO411N4937GYangjie TechnologyDO-41 600V 1.0A Diodes Rectifi1N4937GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL1N4937-E3/23Electro-Films (EFI) / Vishay1N4937-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL1N4937Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A DO41| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.