مواصفات التكنولوجيا 2SJ652
المواصفات الفنية Sanyo - 2SJ652 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Sanyo - 2SJ652
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220ML | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 38mOhm @ 14A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2W (Ta), 30W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 4360 pF @ 20 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 80 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 28A (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | 2SJ652 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Sanyo 2SJ652.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 2SJ652 | 2SJ648-T1-A | 2SJ651 | 2SJ649-AZ |
| الصانع | Sanyo | Renesas Electronics America Inc | onsemi | Renesas Electronics America Inc |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | - | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Isolated Tab |
| فغس (ماكس) | ±20V | - | - | ±20V |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | - | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 4360 pF @ 20 V | - | 2200 pF @ 20 V | 1900 pF @ 10 V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | - | 60 V | 60 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| نوع FET | P-Channel | - | P-Channel | P-Channel |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2W (Ta), 30W (Tc) | - | 2W (Ta), 25W (Tc) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 28A (Ta) | 400mA (Tj) | 20A (Ta) | 20A (Tc) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 80 nC @ 10 V | - | 45 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| رقم المنتج الأساسي | 2SJ652 | - | - | 2SJ649 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 38mOhm @ 14A, 10V | - | 60mOhm @ 10A, 10V | 48mOhm @ 10A, 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220ML | - | TO-220ML | TO-220 Isolated Tab |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4V, 10V | - | - | 4V, 10V |
2SJ648-T1-ARenesas Electronics America IncTRANSISTOR2SJ648-T1-A/JMNEC
2SJ649-S17Fairchild (onsemi)2SJ651onsemiMOSFET P-CH 60V 20A TO220ML2SJ649-AZRenesas Electronics America IncMOSFET P-CH 60V 20A TO2202SJ653-TH MOSAMI Semiconductor/onsemi2SJ649Renesas Electronics Corporation2SJ653/J653SAY2SJ648-T1-AT/JMNEC2SJ652-1EonsemiMOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG2SJ655/J655SAY2SJ655 J655AMI Semiconductor/onsemi2SJ648-T1-ATNEC2SJ653onsemiPOWER MOSFET MOTOR DRIVERS2SJ652-THAMI Semiconductor/onsemi2SJ654onsemiP-CHANNL SILICON MOSFET2SJ655onsemiMOSFET P-CH 100V 12A TO220ML2SJ650onsemiMOSFET P-CH 60V 12A TO220ML| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.