مواصفات التكنولوجيا 3LP01M-TL-H
المواصفات الفنية onsemi - 3LP01M-TL-H والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - 3LP01M-TL-H
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | |
| فغس (ماكس) | ±10V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | MCP | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 10.4Ohm @ 50mA, 4V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150mW (Ta) | |
| حزمة / كيس | SC-70, SOT-323 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 7.5 pF @ 10 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 1.43 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.5V, 4V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 100mA (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | 3LP01 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi 3LP01M-TL-H.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 3LP01M-TL-H | IRLML5203 | 3LP01M-TL-E | FDP52N20 |
| الصانع | onsemi | Infineon Technologies | onsemi | onsemi |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 10.4Ohm @ 50mA, 4V | 98mOhm @ 3A, 10V | 10.4Ohm @ 50mA, 4V | 49mOhm @ 26A, 10V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 7.5 pF @ 10 V | 510 pF @ 25 V | 7.5 pF @ 10 V | 2900 pF @ 25 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.5V, 4V | 4.5V, 10V | 1.5V, 4V | 10V |
| رقم المنتج الأساسي | 3LP01 | - | 3LP01 | FDP52 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 200 V |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 100mA (Ta) | 3A (Ta) | 100mA (Ta) | 52A (Tc) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150mW (Ta) | 1.25W (Ta) | 150mW (Ta) | 357W (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | 2.5V @ 250µA | - | 5V @ 250µA |
| فغس (ماكس) | ±10V | ±20V | ±10V | ±30V |
| سلسلة | - | HEXFET® | - | UniFET™ |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | - | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تجار الأجهزة حزمة | MCP | Micro3™/SOT-23 | MCP | TO-220-3 |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 1.43 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 1.43 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | SC-70, SOT-323 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SC-70, SOT-323 | TO-220-3 |
قم بتنزيل أوراق بيانات 3LP01M-TL-H PDF ووثائق onsemi لـ 3LP01M-TL-H - onsemi.
IRLML5203Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT233LP01M-TL-EonsemiMOSFET P-CH 30V 100MA 3MCPFDP52N20onsemiMOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
NTD4813N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
3LP01SS-TL-HonsemiMOSFET P-CH 30V 100MA SMCP
3LP01SS-TL-EonsemiMOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP3LP01S-TLAMI Semiconductor/onsemi
3LP02C-TBASSEMBLY3LP01SAMI Semiconductor/onsemi
3LP01C-TB-HonsemiMOSFET P-CH 30V 100MA 3CP3LP01SS-TAMI Semiconductor/onsemi3LP02C-TB-EonsemiPCH 1.5V DRIVE SERIES
FQD3N50CTFonsemiMOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3LP01C-TBAMI Semiconductor/onsemi
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 180A TO263-73LP01S-TL-ESanyoP-CHANNEL SILICON MOSFET
FQAF17N40onsemiMOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF3LP01C-TB-EonsemiMOSFET P-CH 30V 100MA 3CP| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.