مواصفات التكنولوجيا 5LN01SS-TL-E
المواصفات الفنية Sanyo - 5LN01SS-TL-E والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Sanyo - 5LN01SS-TL-E
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | |
| فغس (ماكس) | ±10V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 3-SSFP | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 7.8Ohm @ 50mA, 4V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150mW (Ta) | |
| حزمة / كيس | SC-81 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 6600 pF @ 10 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 1.57 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.5V, 4V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 50 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 100mA (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | 5LN01 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Sanyo 5LN01SS-TL-E.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 5LN01SS-TL-E | 5LN01M-TL-E | IRFS4410 | DMN62D1SFB-7B |
| الصانع | Sanyo | onsemi | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.5V, 4V | 1.5V, 4V | 10V | 4.5V, 10V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| رقم المنتج الأساسي | 5LN01 | 5LN01 | - | DMN62 |
| فغس (ماكس) | ±10V | ±10V | ±20V | ±20V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 100mA (Ta) | 100mA (Ta) | 96A (Tc) | 410mA (Ta) |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| تجار الأجهزة حزمة | 3-SSFP | MCP | D2PAK | X1-DFN1006-3 |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| حزمة / كيس | SC-81 | SC-70, SOT-323 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 3-UFDFN |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | - | 4V @ 150µA | 2.3V @ 250µA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 50 V | 50 V | 100 V | 60 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 1.57 nC @ 10 V | 1.57 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 2.8 nC @ 10 V |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| سلسلة | - | - | HEXFET® | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 6600 pF @ 10 V | 6.6 pF @ 10 V | 5150 pF @ 50 V | 80 pF @ 40 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150mW (Ta) | 150mW (Ta) | 250W (Tc) | 470mW (Ta) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 7.8Ohm @ 50mA, 4V | 7.8Ohm @ 50mA, 4V | 10mOhm @ 58A, 10V | 1.4Ohm @ 40mA, 10V |
5LN01CAMI Semiconductor/onsemi5LN01C-TBAMI Semiconductor/onsemi5LN01M-TL-EonsemiMOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP5LN01SVBSEMI5LN01MAMI Semiconductor/onsemi5LN01S-TLAMI Semiconductor/onsemiIRFS4410Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 96A D2PAKDMN62D1SFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
5LN01C-TB-EonsemiMOSFET N-CH 50V 100MA 3CP5LN01M-TLAMI Semiconductor/onsemi
STP10NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
5LN01S-TL-EonsemiMOSFET N-CH 50V 100MA SMCP5LN01SS-TLAMI Semiconductor/onsemi
STP80NF03L-04STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
SI3460DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP5LN01SS-TL-HonsemiMOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP5LN01M-TL-HonsemiMOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP5LN02C-TB-EAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.