مواصفات التكنولوجيا ADP3120AJCPZ-RL
المواصفات الفنية onsemi - ADP3120AJCPZ-RL والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - ADP3120AJCPZ-RL
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - توريد | 4.6V ~ 13.2V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-DFN (3x3) | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 20ns, 11ns | |
| حزمة / كيس | 8-VFDFN Exposed Pad | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -20°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2V | |
| نوع المدخلات | Inverting, Non-Inverting | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 35 V | |
| نوع البوابة | N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | - | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Synchronous | |
| رقم المنتج الأساسي | ADP3120 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi ADP3120AJCPZ-RL.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | ADP3120AJCPZ-RL | ADP3118JRZ | ADP3118JRZ-RL | ADP3120AJRZ |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | Analog Devices Inc. |
| الجهد - توريد | 4.6V ~ 13.2V | 4.15V ~ 13.2V | 4.15V ~ 13.2V | 4.6V ~ 13.2V |
| حزمة / كيس | 8-VFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | ADP3120 | ADP3118 | ADP3118 | ADP3120 |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2V | 0.8V, 2V | 0.8V, 2V | 0.8V, 2V |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| نوع المدخلات | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Synchronous | Synchronous | Synchronous | Synchronous |
| تردد الإدخال | 2 | 2 | 2 | 2 |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| نوع البوابة | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| درجة حرارة التشغيل | -20°C ~ 150°C (TJ) | 0°C ~ 150°C (TJ) | 0°C ~ 150°C (TJ) | -20°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | - | - | - | - |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 35 V | 25 V | 25 V | 35 V |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-DFN (3x3) | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 20ns, 11ns | 25ns, 20ns | 25ns, 20ns | 20ns, 11ns |
قم بتنزيل أوراق بيانات ADP3120AJCPZ-RL PDF ووثائق onsemi لـ ADP3120AJCPZ-RL - onsemi.
ADP3118JRZonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICADP3118JRZ-RLonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ADP3120AJRADI (Analog Devices, Inc.)ADP3120JRZADI (Analog Devices, Inc.)ADP3120AJRZAnalog Devices Inc.DUAL MOSFET DRIVER
ADP3120AJCPZAMI Semiconductor/onsemiADP3118JRZ-RLAnalog Devices Inc.DUAL BOOTSTRAPPED 12 VOLT MOSFETADP3120AJRZonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ADP3118JCPZ-RLAnalog Devices Inc.DUAL BOOTSTRAPPED 12 VOLT MOSFETADP3121JCPZAMI Semiconductor/onsemiADP3120AJRZ-RLonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICADP3120ACPZAMI Semiconductor/onsemiADP3120AJRZRLAMI Semiconductor/onsemiADP3120AADI (Analog Devices, Inc.)
ADP3118JCPZ-RLonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8LFCSPADP3120JRZ-RLADI (Analog Devices, Inc.)ADP3121JCPZ-RLonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8LFCSPADP3118JRZAnalog Devices Inc.DUAL BOOTSTRAPPED 12 VOLT MOSFET| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.