مواصفات التكنولوجيا BAS116LT1G
المواصفات الفنية onsemi - BAS116LT1G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - BAS116LT1G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.25 V @ 150 mA | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 75 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 (TO-236) | |
| سرعة | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 3 µs |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 nA @ 75 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 200mA | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 2pF @ 0V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | BAS116 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi BAS116LT1G.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | BAS116LT1G | BAS116E6327HTSA1 | BAS116GWX | BAS116LPH4-7B |
| الصانع | onsemi | Infineon Technologies | Nexperia USA Inc. | Diodes Incorporated |
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOD-123 | 0402 (1006 Metric) |
| سرعة | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 200mA | 250mA | 215mA | 215mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 (TO-236) | PG-SOT23 | SOD-123 | X2-DFN1006-2 |
| سلسلة | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 75 V | 80 V | 75 V | 85 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 nA @ 75 V | 5 nA @ 75 V | 5 nA @ 75 V | 5 nA @ 75 V |
| رقم المنتج الأساسي | BAS116 | BAS116 | BAS116 | BAS116 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | 150°C (Max) | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 3 µs | 1.5 µs | 3 µs | 3 µs |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
قم بتنزيل أوراق بيانات BAS116LT1G PDF ووثائق onsemi لـ BAS116LT1G - onsemi.
BAS116E6327HTSA1Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23BAS116GWXNexperia USA Inc.DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123
BAS116TWPANJITBAS116LPH4-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN
BAS116T-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523BAS116215NexperiaBAS116WSPANJITBAS116WPANJITBAS116GWNexperia USA Inc.DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123
BAS116LP3-7Diodes IncorporatedDIODE GP 85V 215MA X3-DFN0603-2
BAS116TFreescale / NXP SemiconductorsBAS116HNexperia USA Inc.NOW NEXPERIA BAS116H - RECTIFIER
BAS116V-7Diodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT563
BAS116E6327Infineon TechnologiesRECTIFIER DIODE, 0.25A
BAS116LP3Diodes Incorporated
BAS116Q-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3BAS116UDJ-7Diodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT963
BAS116TT1GonsemiDIODE GP 75V 200MA SC75 SOT416| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.