مواصفات التكنولوجيا ECH8660-TL-H
المواصفات الفنية onsemi - ECH8660-TL-H والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - ECH8660-TL-H
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-ECH | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 59mOhm @ 2A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 1.5W | |
| حزمة / كيس | 8-SMD, Flat Lead | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 240pF @ 10V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 4.4nC @ 10V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.5A | |
| ترتيب | N and P-Channel | |
| رقم المنتج الأساسي | ECH8660 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi ECH8660-TL-H.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | ECH8660-TL-H | ECH8659-M-TL-H | ECH8661-TL-H | ECH8667-TL-H |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ترتيب | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 4.4nC @ 10V | 11.8nC @ 10V | 11.8nC @ 10V | 13nC @ 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-ECH | 8-ECH | 8-ECH | 8-ECH |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 4V Drive | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | - | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 59mOhm @ 2A, 10V | 24mOhm @ 3.5A, 10V | 24mOhm @ 3.5A, 10V | 39mOhm @ 2.5A, 10V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.5A | 7A | 7A, 5.5A | 5.5A |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 240pF @ 10V | 710pF @ 10V | 710pF @ 10V | 600pF @ 10V |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| رقم المنتج الأساسي | ECH8660 | ECH8659 | ECH8661 | ECH8667 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| السلطة - ماكس | 1.5W | 1.5W | 1.5W | 1.5W |
| حزمة / كيس | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
قم بتنزيل أوراق بيانات ECH8660-TL-H PDF ووثائق onsemi لـ ECH8660-TL-H - onsemi.
ECH8659-M-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
ECH8655RR-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8656-TL-HonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORECH8666-P-TL-HAMI Semiconductor/onsemiECH8661-TL-HonsemiMOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8ECH8667-TL-HonsemiMOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECHECH8663R-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECHECH8660-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8672 MOSAMI Semiconductor/onsemiECH8668-TL-HonsemiMOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8ECH8664R-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8ECH8655RRAMI Semiconductor/onsemiECH8663R-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8655R-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 24V 9A 8ECHECH8657-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECHECH8655R-TL-H MOSAMI Semiconductor/onsemiECH8659-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8ECH8672AMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.