مواصفات التكنولوجيا EFC4C002NLTDG
المواصفات الفنية onsemi - EFC4C002NLTDG والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - EFC4C002NLTDG
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.2V @ 1mA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-WLCSP (6x2.5) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | - | |
| السلطة - ماكس | 2.6W | |
| حزمة / كيس | 8-XFBGA, WLCSP | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 6200pF @ 15V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 45nC @ 4.5V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | - | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | - | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | |
| رقم المنتج الأساسي | EFC4C002 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi EFC4C002NLTDG.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | EFC4C002NLTDG | EFC4C002NLTDG | EFC6604R-TR | EFC6601R-TR |
| الصانع | onsemi | Texas Instruments | onsemi | onsemi |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 45nC @ 4.5V | 45nC @ 4.5V | 29nC @ 4.5V | 48nC @ 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | 8-XFBGA, WLCSP | 8-XFBGA, WLCSP | 6-XFBGA | 6-XFBGA, FCBGA |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | EFC4C002 | EFC4C002 | EFC6604 | EFC6601 |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-WLCSP (6x2.5) | 8-WLCSP (6x2.5) | 6-EFCP (1.9x1.46) | EFCP2718-6CE-020 |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| السلطة - ماكس | 2.6W | 2.6W | 1.6W | 2W |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 6200pF @ 15V | 6200pF @ 15V | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.2V @ 1mA | 2.2V @ 1mA | - | - |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات EFC4C002NLTDG PDF ووثائق onsemi لـ EFC4C002NLTDG - onsemi.
EFC4626RONsemiEFC4C012NLTDGONsemiEFC4C002NLTDGTexas InstrumentsPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOREFC6604R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 6EFCPEFC6601R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6602R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6602R-A-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC4626R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4EFC4622R-W-NAMI Semiconductor/onsemiEFC6605R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 6EFCPEFC4621R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6604R-TFAMI Semiconductor/onsemiEFC4623R-TRAMI Semiconductor/onsemi
EFC4C002NLTDGFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOREFC4630R-TRonsemiINTEGRATED CIRCUITEFC4624R-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC6301-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC4627R-A-TRonsemiMOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.