مواصفات التكنولوجيا FCH190N65F-F155
المواصفات الفنية onsemi - FCH190N65F-F155 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FCH190N65F-F155
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 2mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | |
| سلسلة | FRFET®, SuperFET® II | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 190mOhm @ 10A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 208W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3225 pF @ 100 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 78 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 650 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 20.6A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FCH190 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FCH190N65F-F155.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FCH190N65F-F155 | FCH165N65S3R0-F155 | FCH170N60 | FCH150N65F-F155 |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3225 pF @ 100 V | 1500 pF @ 400 V | 2860 pF @ 380 V | 3737 pF @ 100 V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 650 V | 650 V | 600 V | 650 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 20.6A (Tc) | 19A (Tc) | 22A (Tc) | 24A (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 2mA | 4.5V @ 1.9mA | 3.5V @ 250µA | 5V @ 2.4mA |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 190mOhm @ 10A, 10V | 165mOhm @ 9.5A, 10V | 170mOhm @ 11A, 10V | 150mOhm @ 12A, 10V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسلة | FRFET®, SuperFET® II | SuperFET® III | SuperFET® II | SuperFET® II |
| رقم المنتج الأساسي | FCH190 | FCH165 | FCH170 | FCH150 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 208W (Tc) | 154W (Tc) | 227W (Tc) | 298W (Tc) |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 78 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 94 nC @ 10 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
قم بتنزيل أوراق بيانات FCH190N65F-F155 PDF ووثائق onsemi لـ FCH190N65F-F155 - onsemi.
FCH20A10GSHINDENGEFCH165N65S3R0-F155onsemiMOSFET N-CH 650V 19A TO247-3FCH190N65FAMI Semiconductor/onsemiFCH2012F-1RONTAI-TECHFCH20A10NIECFCH20A12SHINFCH170N60onsemiMOSFET N-CH 600V 22A TO247-3FCH150N65F_F155AMI Semiconductor/onsemiFCH150N65F-F155onsemiMOSFET N-CH 650V 24A TO247
FCH20A15KYOCERA AVXDIODE SCHOT 150V 20A TO220 FFCH165N65S3R0-155AMI Semiconductor/onsemiFCH165N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 23A TO247-3FCH20A04NIECFCH20A06NIEC
FCH170N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 22A TO247-3FCH16P10QNIECFCH190N65FF155Fairchild (onsemi)FCH20A03LNihon Inter| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.