مواصفات التكنولوجيا FDH5500
المواصفات الفنية onsemi - FDH5500 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FDH5500
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | |
| سلسلة | UltraFET™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 7mOhm @ 75A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 375W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3565 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 268 nC @ 20 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 55 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 75A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FDH550 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FDH5500.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDH5500 | FDH50N50 | FDH5500 | FDH50N50 |
| الصانع | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 75A (Tc) | 48A (Tc) | 75A (Tc) | 48A (Tc) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 268 nC @ 20 V | 137 nC @ 10 V | 268 nC @ 20 V | 137 nC @ 10 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 375W (Tc) | 625W (Tc) | 375W (Tc) | 625W (Tc) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3565 pF @ 25 V | 6460 pF @ 25 V | 3565 pF @ 25 V | 6460 pF @ 25 V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247 | TO-247 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| رقم المنتج الأساسي | FDH550 | FDH50 | - | - |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 55 V | 500 V | 55 V | 500 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 7mOhm @ 75A, 10V | 105mOhm @ 24A, 10V | 7mOhm @ 75A, 10V | 105mOhm @ 24A, 10V |
| سلسلة | UltraFET™ | UniFET™ | UltraFET™ | UniFET™ |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
قم بتنزيل أوراق بيانات FDH5500 PDF ووثائق onsemi لـ FDH5500 - onsemi.
FDH50N50onsemiMOSFET N-CH 500V 48A TO247-3FDH45N50FFairchild (onsemi)FDH50N50-F133ONsemiFDH44N50FFSCFDH5500Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 75A TO247-3FDH333Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH44N50 MOSFairchild (onsemi)FDH45N50FDH50N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 48A TO247-3FDH3632Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDH333TRonsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH3632onsemiMOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3FDH333onsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH333TRFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 125V, DO-FDH5500_F085Fairchild (onsemi)FDH44N50onsemiMOSFET N-CH 500V 44A TO247-3FDH45N50F-F133ONsemiFDH3632 MOSFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.