مواصفات التكنولوجيا FDMS3660AS
المواصفات الفنية onsemi - FDMS3660AS والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FDMS3660AS
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.7V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | Power56 | |
| سلسلة | PowerTrench® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 8mOhm @ 13A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 1W | |
| حزمة / كيس | 8-PowerTDFN | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2230pF @ 15V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30nC @ 10V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 13A, 30A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | FDMS3660 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FDMS3660AS.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDMS3660AS | FDMS3664S | FDMS3624S | FDMS3664S |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2230pF @ 15V | 1765pF @ 15V | - | 1765pF @ 15V |
| تجار الأجهزة حزمة | Power56 | 8-PQFN (5x6) | - | Power56 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| رقم المنتج الأساسي | FDMS3660 | FDMS3664 | FDMS3624 | FDMS3664 |
| حزمة / كيس | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | - | 8-PowerTDFN |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30nC @ 10V | 29nC @ 10V | - | 29nC @ 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 13A, 30A | 13A, 25A | - | 13A, 25A |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | - | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.7V @ 250µA | 2.7V @ 250µA | - | 2.7V @ 250µA |
| السلطة - ماكس | 1W | 1W | - | 1W |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | 30V | - | 30V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| سلسلة | PowerTrench® | PowerTrench® | * | PowerTrench® |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 8mOhm @ 13A, 10V | 8mOhm @ 13A, 10V | - | 8mOhm @ 13A, 10V |
قم بتنزيل أوراق بيانات FDMS3660AS PDF ووثائق onsemi لـ FDMS3660AS - onsemi.
FDMS3664SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3624SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFNFDMS3627SFairchild (onsemi)FDMS3662Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDMS3664SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56FDMS3660SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56FDMS3662onsemiMOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFNFDMS3620SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFNFDMS3629SFairchild (onsemi)FDMS3660S MOSFairchild (onsemi)FDMS3625SFairchild (onsemi)FDMS3626SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3664NEOTECFDMS3660SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3622SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 17.5/34A PWR56FDMS3622SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3662 MOSFairchild (onsemi)FDMS3624SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.