مواصفات التكنولوجيا FES16DT
المواصفات الفنية onsemi - FES16DT والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FES16DT
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 950 mV @ 8 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-2 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 35 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 16A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 170pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | FES16 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FES16DT.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FES16DT | FES16DTR | FES16HT | FES16JT |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 500 V | 10 µA @ 600 V |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 950 mV @ 8 A | 950 mV @ 8 A | 1.5 V @ 8 A | 1.5 V @ 8 A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 170pF @ 4V, 1MHz | 170pF @ 4V, 1MHz | 145pF @ 4V, 1MHz | 145pF @ 4V, 1MHz |
| رقم المنتج الأساسي | FES16 | FES16 | FES16 | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 35 ns | 35 ns | 50 ns | 50 ns |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | 200 V | 500 V | 600 V |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 16A | 16A | 16A | 16A |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
قم بتنزيل أوراق بيانات FES16DT PDF ووثائق onsemi لـ FES16DT - onsemi.
FES16DTRonsemiDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16HTonsemiDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES16JTFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODEFES16BTonsemiDIODE GEN PURP 100V 16A TO220-2FES16HTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES16GTonsemiDIODE GEN PURP 400V 16A TO220-2FES16FTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2
FES16FT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 16A TO220ACFES16BTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 16A TO220-2FES16DTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2
FES10DT-E3/45Electro-Films (EFI) / VishayFES16DTRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 16A TO220ACFES16GT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 16A TO220ACFES16CTonsemiDIODE GEN PURP 150V 16A TO220-2FES16ATonsemiDIODE GEN PURP 50V 16A TO220-2FES16FT MOSGIFES16FTonsemiDIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.