مواصفات التكنولوجيا FGAF20N60SMD
المواصفات الفنية onsemi - FGAF20N60SMD والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FGAF20N60SMD
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 1.7V @ 15V, 20A | |
| اختبار حالة | 400V, 20A, 10Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 12ns/91ns | |
| تحويل الطاقة | 452µJ (on), 141µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-3PF | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 26.7 ns | |
| السلطة - ماكس | 75 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-3P-3 Full Pack | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | Field Stop | |
| بوابة المسؤول | 64 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 60 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 40 A | |
| رقم المنتج الأساسي | FGAF20 |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FGAF20N60SMD.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FGAF20N60SMD | FGA70N33BTDTU | FGAF40N60UFTU | FGAF40N60UFDTU |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 12ns/91ns | - | 15ns/65ns | 15ns/65ns |
| اختبار حالة | 400V, 20A, 10Ohm, 15V | - | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | 300V, 20A, 10Ohm, 15V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بوابة المسؤول | 64 nC | 49 nC | 77 nC | 77 nC |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 40 A | - | 40 A | 40 A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | FGAF20 | FGA70 | FGAF40 | FGAF40 |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 330 V | 600 V | 600 V |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 26.7 ns | 23 ns | - | 95 ns |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| نوع IGBT | Field Stop | Trench | - | - |
| تحويل الطاقة | 452µJ (on), 141µJ (off) | - | 470µJ (on), 130µJ (off) | 470µJ (on), 130µJ (off) |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 1.7V @ 15V, 20A | 1.7V @ 15V, 70A | 3V @ 15V, 20A | 3V @ 15V, 20A |
| السلطة - ماكس | 75 W | 149 W | 100 W | 100 W |
| حزمة / كيس | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-3PF | TO-3P | TO-3PF | TO-3PF |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 60 A | 220 A | 160 A | 160 A |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
قم بتنزيل أوراق بيانات FGAF20N60SMD PDF ووثائق onsemi لـ FGAF20N60SMD - onsemi.
FGA70N33BTDTUonsemiIGBT 330V 149W TO3P
FGA70N33BTDFairchild (onsemi)
FGAF20S65AQONsemiFGAF40N60UFTUonsemiIGBT 600V 40A TO3PFFGA90N30DFSCFGAF40N60UFDTUonsemiIGBT 600V 40A TO3PFFGA90N30FSCFGAF40N60UFDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGAF40N60SMDonsemiIGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PFFGA70N33BTDLDTUFairchild (onsemi)FGAF40N60UFDFairchild (onsemi)FGA90N33ATTUonsemiIGBT 330V 90A 223W TO3PFGA90N33ATDTUonsemiIGBT 330V 90A 223W TO3PFGAF40N60UFDTU-NLFairchild (onsemi)FGAF40N60UFFairchild (onsemi)FGAF40N60UFTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA90N33ATDFairchild (onsemi)FGA90N33ATDTUFairchild SemiconductorIGBT, 90A, 330V, N-CHANNEL| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.