مواصفات التكنولوجيا FGD3N60UNDF
المواصفات الفنية onsemi - FGD3N60UNDF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FGD3N60UNDF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.52V @ 15V, 3A | |
| اختبار حالة | 400V, 3A, 10Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 5.5ns/22ns | |
| تحويل الطاقة | 52µJ (on), 30µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252AA | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 21 ns | |
| السلطة - ماكس | 60 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | NPT | |
| بوابة المسؤول | 1.6 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 9 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 6 A | |
| رقم المنتج الأساسي | FGD3N60 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FGD3N60UNDF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FGD3N60UNDF | FGD3440G2 | FGD4536TM | FGD3N60LSDTM |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | onsemi |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 400 V | 360V | 600 V |
| تحويل الطاقة | 52µJ (on), 30µJ (off) | - | - | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 9 A | - | 220A | 25 A |
| رقم المنتج الأساسي | FGD3N60 | FGD3 | - | FGD3N60 |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bulk | - | Tape & Reel (TR) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.52V @ 15V, 3A | 1.2V @ 4V, 6A | 1.8V @ 15V, 50A | 1.5V @ 10V, 3A |
| بوابة المسؤول | 1.6 nC | 24 nC | 47nC | 12.5 nC |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| نوع المدخلات | Standard | Logic | Standard | Standard |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| السلطة - ماكس | 60 W | 166 W | 125W | 40 W |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252AA | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
| نوع IGBT | NPT | - | Trench | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 21 ns | - | - | 234 ns |
| اختبار حالة | 400V, 3A, 10Ohm, 15V | 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V | - | 480V, 3A, 470Ohm, 10V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 5.5ns/22ns | -/5.3µs | - | 40ns/600ns |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 6 A | 26.9 A | - | 6 A |
| سلسلة | - | EcoSPARK® | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات FGD3N60UNDF PDF ووثائق onsemi لـ FGD3N60UNDF - onsemi.
FGD3325G2-F085ONsemiFGD3440G2Fairchild SemiconductorIGBT 26.9A, 450V, N CHANNEL, DPAFGD3245G2-F085CONsemiFGD4536TMAMI Semiconductor / ON SemiconductorIGBT 360V 125W DPAKFGD3N60LSDTMonsemiIGBT 600V 6A 40W DPAKFGD3040G2_F085Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGD3040G2-SN00353AMI Semiconductor/onsemiFGD3245G2_F085Fairchild (onsemi)FGD3440G2-F085ONsemiFGD3440G2onsemiIGBT 400V 26.9A 166W DPAKFGD5T120SHonsemiIGBT 1200V 5A FS3 DPAKFGD4536Fairchild (onsemi)FGD3245G2Fairchild SemiconductorIGBT 23A, 440V, N CHANNELFGD3N60LSDFairchild (onsemi)FGD3N60LSD MOSFairchild (onsemi)FGD3N60LSDTMFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGD3040G2-F085VONsemiFGD3245G2-F085ONsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.