مواصفات التكنولوجيا FGH40N6S2D
المواصفات الفنية onsemi - FGH40N6S2D والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FGH40N6S2D
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 20A | |
| اختبار حالة | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 8ns/35ns | |
| تحويل الطاقة | 115µJ (on), 195µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 48 ns | |
| السلطة - ماكس | 290 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| بوابة المسؤول | 35 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 180 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 75 A | |
| رقم المنتج الأساسي | FGH40 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FGH40N6S2D.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FGH40N6S2D | FGH40N6S2 | FGH40N60UFDTU | FGH40T120SMDL4 |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| السلطة - ماكس | 290 W | 290 W | 290 W | 555 W |
| رقم المنتج الأساسي | FGH40 | - | FGH40N60 | - |
| اختبار حالة | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | 400V, 40A, 10Ohm, 15V | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 20A | 2.7V @ 15V, 20A | 2.4V @ 15V, 40A | 2.4V @ 15V, 40A |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-4 |
| نوع IGBT | - | - | Field Stop | Trench Field Stop |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-4 |
| بوابة المسؤول | 35 nC | 35 nC | 120 nC | 370 nC |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 180 A | 180 A | 120 A | 160 A |
| تحويل الطاقة | 115µJ (on), 195µJ (off) | 115µJ (on), 195µJ (off) | 1.19mJ (on), 460µJ (off) | 2.24mJ (on), 1.02mJ (off) |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 8ns/35ns | 8ns/35ns | 24ns/112ns | 44ns/464ns |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 48 ns | - | 45 ns | 65 ns |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 75 A | 75 A | 80 A | 80 A |
قم بتنزيل أوراق بيانات FGH40N6S2D PDF ووثائق onsemi لـ FGH40N6S2D - onsemi.
FGH40N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH40N60UFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3FGH40T120SMDL4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH40T120SMFairchild (onsemi)FGH40N60UFDFairchild (onsemi)FGH40T100FairchiFGH40N6S2onsemiIGBT 600V 75A 290W TO247FGH40N65UFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3FGH40N60UFDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH40N60UFAMI Semiconductor/onsemiFGH40T120SMDL4onsemiIGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247FGH40T120SMDonsemiIGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3FGH40N65Fairchild (onsemi)FGH40T120FDSFGH40N65UFDFairchild (onsemi)FGH40T100SMDonsemiIGBT 1000V 80A 333W TO247-3FGH40T120SMDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH40T120SMD-F155onsemiIGBT 1200V 80A 555W TO247-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.