مواصفات التكنولوجيا FGH50N6S2D
المواصفات الفنية onsemi - FGH50N6S2D والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FGH50N6S2D
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 30A | |
| اختبار حالة | 390V, 30A, 3Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 13ns/55ns | |
| تحويل الطاقة | 260µJ (on), 250µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 55 ns | |
| السلطة - ماكس | 463 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| بوابة المسؤول | 70 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 240 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 75 A | |
| رقم المنتج الأساسي | FGH50 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FGH50N6S2D.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FGH50N6S2D | FGH50N6S2 | FGH40T65SQD-F155 | FGH50T65SQD-F155 |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| السلطة - ماكس | 463 W | 463 W | 238 W | 268 W |
| اختبار حالة | 390V, 30A, 3Ohm, 15V | 390V, 30A, 3Ohm, 15V | 400V, 10A, 6Ohm, 15V | 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 240 A | 240 A | 160 A | 200 A |
| نوع IGBT | - | - | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول | 70 nC | 70 nC | 80 nC | 99 nC |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| تحويل الطاقة | 260µJ (on), 250µJ (off) | 260µJ (on), 250µJ (off) | 138µJ (on), 52µJ (off) | 180µJ (on), 45µJ (off) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 55 ns | - | 31.8 ns | 31 ns |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| سلسلة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 13ns/55ns | 13ns/55ns | 16.4ns/86.4ns | 22ns/105ns |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 30A | 2.7V @ 15V, 30A | 2.1V @ 15V, 40A | 2.1V @ 15V, 50A |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 600 V | 650 V | 650 V |
| رقم المنتج الأساسي | FGH50 | - | FGH40 | FGH50 |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 75 A | 75 A | 80 A | 100 A |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
قم بتنزيل أوراق بيانات FGH50N6S2D PDF ووثائق onsemi لـ FGH50N6S2D - onsemi.
FGH50N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH40T65SQD-F155onsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3FGH50T65SQD-F155onsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3FGH60N60SFDFairchild (onsemi)FGH60N60SFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH40T65UPDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3FGH50T65UPDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3FGH50N6S2DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH50N3onsemiIGBT PT 300V 75A TO247-3FGH50N6S2onsemiIGBT 600V 75A 463W TO247FGH60N60SFFairchild (onsemi)FGH40T70SHDFairchild (onsemi)FGH50N3Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH47N60FAMI Semiconductor/onsemiFGH40T65SQDAMI Semiconductor/onsemiFGH50T65UPDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH60N60FDSFGH60N60SFTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.