مواصفات التكنولوجيا FGL60N100BNTD
المواصفات الفنية onsemi - FGL60N100BNTD والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FGL60N100BNTD
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 1000 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.9V @ 15V, 60A | |
| اختبار حالة | 600V, 60A, 51Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 140ns/630ns | |
| تحويل الطاقة | - | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-264-3 | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.2 µs | |
| السلطة - ماكس | 180 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-264-3, TO-264AA | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | NPT and Trench | |
| بوابة المسؤول | 275 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 120 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 60 A | |
| رقم المنتج الأساسي | FGL60N100 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FGL60N100BNTD.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FGL60N100BNTD | FGL40N120ANDTU | FGL40N150DTU | FGL40N120ANTU |
| الصانع | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| رقم المنتج الأساسي | FGL60N100 | FGL40N120 | - | FGL40N120 |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 1000 V | 1200 V | 1500 V | 1200 V |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 120 A | 160 A | 120 A | 160 A |
| نوع IGBT | NPT and Trench | NPT | - | NPT |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 60 A | 64 A | 40 A | 64 A |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.9V @ 15V, 60A | 3.2V @ 15V, 40A | 4.5V @ 15V, 40A | 3.2V @ 15V, 40A |
| اختبار حالة | 600V, 60A, 51Ohm, 15V | 600V, 40A, 5Ohm, 15V | - | 600V, 40A, 5Ohm, 15V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-264-3 | TO-264-3 | - | TO-264-3 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.2 µs | 112 ns | 170 ns | - |
| طَرد | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| حزمة / كيس | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| تحويل الطاقة | - | 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) | - | 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| بوابة المسؤول | 275 nC | 220 nC | 170 nC | 220 nC |
| السلطة - ماكس | 180 W | 500 W | 200 W | 500 W |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 140ns/630ns | 15ns/110ns | - | 15ns/110ns |
قم بتنزيل أوراق بيانات FGL60N100BNTD PDF ووثائق onsemi لـ FGL60N100BNTD - onsemi.
FGL40N120ANDTUonsemiIGBT NPT 1200V 64A TO264-3FGL9705745308N/AFGL40N120ANFairchild (onsemi)FGL40N150DTUFairchild SemiconductorIGBT, 40A, 1500V, N-CHANNEL
FGLD12SR6040NAFDK America, Inc., a member of Fujitsu GroupDC DC CONVERTER 0.45-2V 80WFGL40N120ANTUonsemiIGBT NPT 1200V 64A TO264-3FGL40N60ANTDFairchild (onsemi)
FGL9705042186-A87-ARenesas Electronics CorporationFGL60N100BNTDTUonsemiIGBT 1000V 60A 180W TO264FGL60N170DFairchild (onsemi)
FGL40N120Freescale SemiconductorFGL40N120ANTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGL40N150ANTDFairchild (onsemi)FGL60N100DFairchild (onsemi)FGL9704559180-133PGLFGL40N120ANDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGL60N60ANTDFairchild (onsemi)FGL40N120ANDAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.