مواصفات التكنولوجيا FJV4106RMTF
المواصفات الفنية onsemi - FJV4106RMTF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FJV4106RMTF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 50 V | |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| نوع الترانزستور | PNP - Pre-Biased | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 | |
| سلسلة | - | |
| المقاوم - قاعدة باعث (R2) | 47 kOhms | |
| المقاوم - قاعدة (R1) | 10 kOhms | |
| السلطة - ماكس | 200 mW |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| تردد - تحول | 200 MHz | |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE | 68 @ 5mA, 5V | |
| الحالي - جامع القطع (ماكس) | 100nA (ICBO) | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 100 mA | |
| رقم المنتج الأساسي | FJV410 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FJV4106RMTF.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FJV4106RMTF | FJV4110RMTF | FJV4112RMTF | FJV4101RMTF |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم | 300mV @ 500µA, 10mA | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 500µA, 10mA |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| تردد - تحول | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
| المقاوم - قاعدة (R1) | 10 kOhms | 10 kOhms | 47 kOhms | 4.7 kOhms |
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| السلطة - ماكس | 200 mW | 200 mW | 200 mW | 200 mW |
| الحالي - جامع القطع (ماكس) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE | 68 @ 5mA, 5V | 100 @ 1mA, 5V | 100 @ 1mA, 5V | 20 @ 10mA, 5V |
| المقاوم - قاعدة باعث (R2) | 47 kOhms | - | - | 4.7 kOhms |
| رقم المنتج الأساسي | FJV410 | FJV411 | FJV411 | FJV410 |
| نوع الترانزستور | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 50 V | 40 V | 40 V | 50 V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
قم بتنزيل أوراق بيانات FJV4106RMTF PDF ووثائق onsemi لـ FJV4106RMTF - onsemi.
FJV4110RMTFFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORFJV4102RLIMTFFairchild (onsemi)FJV4112RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4101RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4110RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4108RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4105RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4107RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4113RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, PNPFJV4111RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4104RMTFFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORFJV4109RMTFFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORFJV4104RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4103RMTFFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORFJV4103RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4102RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, PNPFJV4102RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4109RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.