مواصفات التكنولوجيا FQA19N60
المواصفات الفنية onsemi - FQA19N60 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FQA19N60
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-3PN | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 380mOhm @ 9.3A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 300W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3600 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 90 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FQA19N60.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQA19N60 | FQA19N20C | FQA19N20L | FQA24N60 |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 200 V | 200 V | 600 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-3PN | TO-3P | TO-3P | TO-3PN |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) | 21.8A (Tc) | 25A (Tc) | 23.5A (Tc) |
| سلسلة | - | QFET® | QFET® | QFET® |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 5V, 10V | 10V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 300W (Tc) | 180W (Tc) | 190W (Tc) | 310W (Tc) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 90 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V | 35 nC @ 5 V | 145 nC @ 10 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 380mOhm @ 9.3A, 10V | 170mOhm @ 10.9A, 10V | 140mOhm @ 12.5A, 10V | 240mOhm @ 11.8A, 10V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3600 pF @ 25 V | 1080 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V | 5500 pF @ 25 V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
| حزمة / كيس | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
FQA19N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 21.8A TO3PFQA19N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 25A TO3P
FQA24N50 MOSFairchild (onsemi)FQA24N60onsemiMOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PNFQA18N50FSCFQA19N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PNFQA20N50Fairchild (onsemi)FQA18N40Fairchild (onsemi)FQA170N06onsemiMOSFET N-CH 60V 170A TO3PNFQA18N50V2onsemiMOSFET N-CH 500V 20A TO3PFQA16N50onsemiMOSFET N-CH 500V 16A TO3PFQA24N50onsemiMOSFET N-CH 500V 24A TO3PFQA18N50V2Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 20A TO3PFQA19N20L MOSFairchild (onsemi)FQA24N50Fairchild Semiconductor24A, 500V, 0.2OHM, N-CHANNEL, MFQA20N40onsemiMOSFET N-CH 400V 19.5A TO3PFQA19N60 MOSFairchild (onsemi)FQA24N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 24A TO3P| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.