مواصفات التكنولوجيا FQI7N80TU
المواصفات الفنية onsemi - FQI7N80TU والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FQI7N80TU
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK (TO-262) | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1850 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 52 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 800 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FQI7N80 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FQI7N80TU.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQI7N80TU | FQI7N60TU | FQI7N80TU | FQI7N60TU |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 800 V | 600 V | 800 V | 600 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 52 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1850 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 1850 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) | 3.13W (Ta), 142W (Tc) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) | 3.13W (Ta), 142W (Tc) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) | 7.4A (Tc) | 6.6A (Tc) | 7.4A (Tc) |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| رقم المنتج الأساسي | FQI7N80 | FQI7N60 | - | FQI7N60 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| طَرد | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V | 1Ohm @ 3.7A, 10V | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V | 1Ohm @ 3.7A, 10V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
قم بتنزيل أوراق بيانات FQI7N80TU PDF ووثائق onsemi لـ FQI7N80TU - onsemi.
FQI7N60TUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FQI7N80Fairchild (onsemi)FQI7N60Fairchild (onsemi)FQI7N80TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAKFQI8N60CFairchild (onsemi)FQI7N60TUonsemiMOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAKFQI8N60Fairchild (onsemi)FQI8N60CTUonsemiMOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAKFQI8N25TUFSCFQI7P20TU MOSFairchild (onsemi)FQI9N30Fairchild (onsemi)FQI8N60CTUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FQI5N60TUFSCFQI95N03LTUFSCFQI7P20TUFSCFQI6N40TUFSCFQI6N25TUFSCFQI60N03LTUFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.