مواصفات التكنولوجيا FQP27P06
المواصفات الفنية onsemi - FQP27P06 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FQP27P06
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±25V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 70mOhm @ 13.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 120W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1400 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 43 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 27A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FQP27 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FQP27P06.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQP27P06 | FQP2N60C | FQP22P10 | FQP2N80 |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1400 pF @ 25 V | 235 pF @ 25 V | 1500 pF @ 25 V | 550 pF @ 25 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 70mOhm @ 13.5A, 10V | 4.7Ohm @ 1A, 10V | 125mOhm @ 11A, 10V | 6.3Ohm @ 1.2A, 10V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| فغس (ماكس) | ±25V | ±30V | ±30V | ±30V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 600 V | 100 V | 800 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 27A (Tc) | 2A (Tc) | 22A (Tc) | 2.4A (Tc) |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 43 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 120W (Tc) | 54W (Tc) | 125W (Tc) | 85W (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| رقم المنتج الأساسي | FQP27 | FQP2 | FQP2 | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات FQP27P06 PDF ووثائق onsemi لـ FQP27P06 - onsemi.
FQP27P06 MOSFairchild (onsemi)FQP2N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 2A TO220-3FQP22P10onsemiMOSFET P-CH 100V 22A TO220-3FQP24N40Fairchild (onsemi)FQP2N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3FQP2N40onsemiMOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3FQP24N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 24A TO220-3FQP22P10 MOSFairchild (onsemi)FQP27N50Fairchild (onsemi)FQP2N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FQP27N25onsemiMOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3FQP2N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3FQP24N08 MOSFairchild (onsemi)
FQP2N70FSCFQP24N08onsemiMOSFET N-CH 80V 24A TO220-3FQP2N60onsemiMOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3FQP2N30onsemiMOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3FQP22N60Fairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.