مواصفات التكنولوجيا FQP4N80
المواصفات الفنية onsemi - FQP4N80 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FQP4N80
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3.6Ohm @ 1.95A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 130W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 880 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 25 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 800 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FQP4 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FQP4N80.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQP4N80 | FQP4N25 | FQP4N90 | FQP4N50 |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 25 nC @ 10 V | 5.6 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
| طَرد | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3.6Ohm @ 1.95A, 10V | 1.75Ohm @ 1.8A, 10V | 3.3Ohm @ 2.1A, 10V | 2.7Ohm @ 1.7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 130W (Tc) | 52W (Tc) | 140W (Tc) | 70W (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 800 V | 250 V | 900 V | 500 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| رقم المنتج الأساسي | FQP4 | - | - | FQP4 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 880 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 460 pF @ 25 V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) | 3.6A (Tc) | 4.2A (Tc) | 3.4A (Tc) |
قم بتنزيل أوراق بيانات FQP4N80 PDF ووثائق onsemi لـ FQP4N80 - onsemi.
FQP4N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
FQP4N60AJSMFQP4N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3FQP4N50onsemiMOSFET N-CH 500V 3.4A TO220-3FQP4P40onsemiMOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3FQP4N60onsemiMOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3FQP4P40 MOSFairchild (onsemi)FQP4N65CFairchild (onsemi)FQP4N90onsemiMOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3FQP50N06onsemiMOSFET N-CH 60V 50A TO220-3FQP4N80CFairchild (onsemi)FQP50N06 MOSFairchild (onsemi)FQP4N20L MOSFairchild (onsemi)FQP4P25onsemiMOSFET P-CH 250V 4A TO220-3FQP4N80Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP4N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 4A TO220-3FQP4N60CFairchild (onsemi)FQP4N25onsemiMOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.