مواصفات التكنولوجيا FQP5N50C
المواصفات الفنية onsemi - FQP5N50C والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FQP5N50C
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 73W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 625 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 24 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FQP5 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FQP5N50C.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQP5N50C | FQP5N20 | FQP5N40 | FQP5N90 |
| الصانع | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 73W (Tc) | 52W (Tc) | 70W (Tc) | 158W (Tc) |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | 200 V | 400 V | 900 V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5A (Tc) | 4.5A (Tc) | 4.5A (Tc) | 5.4A (Tc) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 24 nC @ 10 V | 7.5 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V | 1.6Ohm @ 2.25A, 10V | 2.3Ohm @ 2.7A, 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| رقم المنتج الأساسي | FQP5 | FQP5 | - | FQP5 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 625 pF @ 25 V | 270 pF @ 25 V | 460 pF @ 25 V | 1550 pF @ 25 V |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
قم بتنزيل أوراق بيانات FQP5N50C PDF ووثائق onsemi لـ FQP5N50C - onsemi.
FQP5N20onsemiMOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3FQP5N40Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3FQP5N20 MOSFairchild (onsemi)FQP5N90onsemiMOSFET N-CH 900V 5.4A TO220-3FQP5N30onsemiMOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3FQP5N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3FQP5N80onsemiMOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3FQP5N40onsemiMOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3FQP5N20LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3FQP5N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3FQP5P10onsemiMOSFET P-CH 100V 4.5A TO220-3FQP5N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 5A TO220-3FQP5N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FQP5N90CFairchild (onsemi)FQP5N30Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3FQP5N20L MOSFairchild (onsemi)FQP5N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3FQP5N60C MOSFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.