مواصفات التكنولوجيا FQP9N90C
المواصفات الفنية onsemi - FQP9N90C والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FQP9N90C
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.4Ohm @ 4A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 205W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2730 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 58 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 900 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 8A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FQP9 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FQP9N90C.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQP9N90C | FQP9N50 | FQP9P25 | FQP9N30 |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 900 V | 500 V | 250 V | 300 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| رقم المنتج الأساسي | FQP9 | FQP9 | FQP9 | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.4Ohm @ 4A, 10V | 730mOhm @ 4.5A, 10V | 620mOhm @ 4.7A, 10V | 450mOhm @ 4.5A, 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 8A (Tc) | 9A (Tc) | 9.4A (Tc) | 9A (Tc) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2730 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V | 1180 pF @ 25 V | 740 pF @ 25 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 58 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 205W (Tc) | 147W (Tc) | 120W (Tc) | 98W (Tc) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | - |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
قم بتنزيل أوراق بيانات FQP9N90C PDF ووثائق onsemi لـ FQP9N90C - onsemi.
FQP9N60CFairchild (onsemi)FQP9N25C MOSFairchild (onsemi)FQP9N50onsemiMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQP9P25onsemiMOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3FQP9N30Fairchild SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 9FQP9N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
FQPF10N50CFonsemiMOSFET N-CH 500V 10A TO220FFQPF10N20C MOSFairchild (onsemi)FQPF10N20onsemiMOSFET N-CH 200V 6.8A TO220FFQP9N30onsemiMOSFET N-CH 300V 9A TO220-3FQPF10N20Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 6.8A TO220FFQP9N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQP9N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQPF10N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 9.5A TO220FFQP9N90CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FQPF1060CFairchild (onsemi)FQPF10N20CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FQP9N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.