مواصفات التكنولوجيا FQPF19N20
المواصفات الفنية onsemi - FQPF19N20 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FQPF19N20
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150mOhm @ 5.9A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 50W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1600 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 40 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11.8A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FQPF19 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FQPF19N20.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQPF19N20 | FQPF19N20C | FQPF18N50V2 | FQPF20N06L |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 5V, 10V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 40 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 13 nC @ 5 V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 200 V | 500 V | 60 V |
| رقم المنتج الأساسي | FQPF19 | FQPF19 | FQPF1 | FQPF20 |
| طَرد | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 50W (Tc) | 43W (Tc) | 69W (Tc) | 30W (Tc) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11.8A (Tc) | 19A (Tc) | 18A (Tc) | 15.7A (Tc) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1600 pF @ 25 V | 1080 pF @ 25 V | 3290 pF @ 25 V | 630 pF @ 25 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150mOhm @ 5.9A, 10V | 170mOhm @ 9.5A, 10V | 265mOhm @ 9A, 10V | 55mOhm @ 7.85A, 10V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
قم بتنزيل أوراق بيانات FQPF19N20 PDF ووثائق onsemi لـ FQPF19N20 - onsemi.
FQPF18N80Fairchild (onsemi)FQPF18N65Fairchild (onsemi)FQPF19N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 19A TO220FFQPF18N50V2onsemiMOSFET N-CH 500V 18A TO220FFQPF19N20C MOSFairchild (onsemi)FQPF20N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 15.7A TO220FFQPF20N06 MOSFairchild (onsemi)FQPF19N10Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 13.6A TO220FFQPF20N06onsemiMOSFET N-CH 60V 15A TO220FFQPF19N10onsemiMOSFET N-CH 100V 13.6A TO220FFQPF20N60Fairchild (onsemi)FQPF19N20 MOSFairchild (onsemi)FQPF1N60CFairchild (onsemi)FQPF19N10LonsemiMOSFET N-CH 100V 13.6A TO220FFQPF19N10LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 13.6A TO220FFQPF19N20Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
FQPF20N10KERSEMIFQPF18N50CFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.