مواصفات التكنولوجيا FQPF3P20
المواصفات الفنية onsemi - FQPF3P20 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FQPF3P20
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.7Ohm @ 1.1A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 32W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 250 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 8 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FQPF3 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FQPF3P20.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQPF3P20 | FQPF3P20 | FQPF46N15 | FQPF3N80C |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 32W (Tc) | 32W (Tc) | 66W (Tc) | 39W (Tc) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) | 2.2A (Tc) | 25.6A (Tc) | 3A (Tc) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 200 V | 150 V | 800 V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 250 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V | 3250 pF @ 25 V | 705 pF @ 25 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| رقم المنتج الأساسي | FQPF3 | - | FQPF4 | FQPF3 |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.7Ohm @ 1.1A, 10V | 2.7Ohm @ 1.1A, 10V | 42mOhm @ 12.8A, 10V | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 8 nC @ 10 V | 8 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 16.5 nC @ 10 V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±25V | ±30V |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET الميزة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات FQPF3P20 PDF ووثائق onsemi لـ FQPF3P20 - onsemi.
FQPF3P20Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 200V 2.2A TO220FFQPF3N90CFairchild (onsemi)FQPF46N15onsemiMOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
FQPF3N60CVBSEMIFQPF3N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 3A TO220FFQPF3P20 MOSFairchild (onsemi)FQPF3N50CTFairchild (onsemi)FQPF3N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 1.8A TO220FFQPF45N15V2onsemiMOSFET N-CH 150V 45A TO220FFQPF47P06 MOSFairchild (onsemi)FQPF3N80CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQPF46N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 25.6A TO220FFQPF40N10Fairchild (onsemi)FQPF44N10onsemiMOSFET N-CH 100V 27A TO220FFQPF3N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 2.1A TO220FFQPF3N80onsemiMOSFET N-CH 800V 1.8A TO220FFQPF47P06onsemiMOSFET P-CH 60V 30A TO220FFQPF3N90onsemiMOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.