مواصفات التكنولوجيا HGTG18N120BN
المواصفات الفنية onsemi - HGTG18N120BN والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - HGTG18N120BN
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 1200 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 18A | |
| اختبار حالة | 960V, 18A, 3Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 23ns/170ns | |
| تحويل الطاقة | 800µJ (on), 1.8mJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | |
| سلسلة | - | |
| السلطة - ماكس | 390 W | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | NPT | |
| بوابة المسؤول | 165 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 165 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 54 A | |
| رقم المنتج الأساسي | HGTG18 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi HGTG18N120BN.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HGTG18N120BN | HGTG20N50C1D | HGTG18N120BND | HGTG20N60A4 |
| الصانع | onsemi | Harris Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 23ns/170ns | - | 23ns/170ns | 15ns/73ns |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسلة | - | - | - | - |
| اختبار حالة | 960V, 18A, 3Ohm, 15V | - | 960V, 18A, 3Ohm, 15V | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| السلطة - ماكس | 390 W | 75 W | 390 W | 290 W |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 165 A | 35 A | 160 A | 280 A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 54 A | 26 A | 54 A | 70 A |
| تحويل الطاقة | 800µJ (on), 1.8mJ (off) | - | 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) | 105µJ (on), 150µJ (off) |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| نوع IGBT | NPT | - | NPT | - |
| بوابة المسؤول | 165 nC | 33 nC | 165 nC | 142 nC |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 1200 V | 500 V | 1200 V | 600 V |
| رقم المنتج الأساسي | HGTG18 | - | HGTG18N120 | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 | TO-247 |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 18A | 3.2V @ 20V, 35A | 2.7V @ 15V, 18A | 2.7V @ 15V, 20A |
قم بتنزيل أوراق بيانات HGTG18N120BN PDF ووثائق onsemi لـ HGTG18N120BN - onsemi.
HGTG12N60B3DITSHGTG20N50C1DHarris Corporation26A, 500V, N-CHANNEL IGBTHGTG18N120BNDonsemiIGBT 1200V 54A 390W TO247HGTG20N120C3DLINTERSIHGTG20N50E1DFairchild (onsemi)HGTG20N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG20N120CNDFairchild (onsemi)HGTG18N120BNFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-HGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247HGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBTHGTG20N60Fairchild (onsemi)HGTG20N60A4onsemiIGBT 600V 70A TO247-3HGTG18N120Fairchild (onsemi)HGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG20N60A4DonsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.