مواصفات التكنولوجيا MBR20L80CTG
المواصفات الفنية onsemi - MBR20L80CTG والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - MBR20L80CTG
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 670 mV @ 10 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 80 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | SWITCHMODE™ | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -20°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 500 µA @ 80 V | |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 10A | |
| رقم المنتج الأساسي | MBR20L80 |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi MBR20L80CTG.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBR20L80CTG | MBR20L60CTG | MBR20S100CTTU | MBR20L100CT |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220 | TO-220 | TO-220-3 | TO-220AB |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| سلسلة | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -20°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 80 V | 60 V | 100 V | 100 V |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 670 mV @ 10 A | 570 mV @ 10 A | 850 mV @ 20 A | 850 mV @ 20 A |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 10A | 10A | 20A | 20A |
| رقم المنتج الأساسي | MBR20L80 | MBR20L60 | MBR20S100 | MBR20 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 500 µA @ 80 V | 380 µA @ 60 V | 100 µA @ 100 V | 20 µA @ 100 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBR20L80CTG PDF ووثائق onsemi لـ MBR20L80CTG - onsemi.
MBR20L60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR20S100CTTUonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR20H45CTAMI Semiconductor/onsemi
MBR20T100CTElectro-Films (EFI) / VishayMBR20L100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
MBR20U150CTEDAMBR20U100CTHSIRECTMBR20U150CTHSIRECTMBR20H60CTElectro-Films (EFI) / VishayMBR20U100CTSIRECT
MBR20S100CTFairchild (onsemi)MBR20L45CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
MBR20SA060A-50Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleMBR20H200DCPANJIT
MBR20H45CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR20H60CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
MBR20H200CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220MBR20SA060-50Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.