مواصفات التكنولوجيا MBRD660CTG
المواصفات الفنية onsemi - MBRD660CTG والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - MBRD660CTG
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 700 mV @ 3 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 60 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | SWITCHMODE™ | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 60 V | |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 3A | |
| رقم المنتج الأساسي | MBRD660 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi MBRD660CTG.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBRD660CTG | MBRD660CTT4 | MBRD660CT-TP | MBRD660CTRLG |
| الصانع | onsemi | onsemi | Micro Commercial Co | onsemi |
| رقم المنتج الأساسي | MBRD660 | MBRD660 | MBRD660 | MBRD660 |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 60 V | 100 µA @ 60 V | 50 µA @ 60 V | 100 µA @ 60 V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | DPAK | D-Pak | DPAK |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 700 mV @ 3 A | 700 mV @ 3 A | 740 mV @ 3 A | 700 mV @ 3 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | SWITCHMODE™ | - | - | SWITCHMODE™ |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 3A | 3A | 6A | 3A |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBRD660CTG PDF ووثائق onsemi لـ MBRD660CTG - onsemi.
MBRD660CTT4onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
MBRD660LT1GAMI Semiconductor/onsemi
MBRD6U60CT-RTF/HKECMBRD660CT-TPMicro Commercial CoDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 6A DPAKMBRD660CTRLGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660LT4GAMI Semiconductor/onsemi
MBRD660CTPBFElectro-Films (EFI) / VishayMBRD660CTT4GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
MBRD660CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V DPAKMBRD650LT4GAMI Semiconductor/onsemi
MBRD660CTGFairchild SemiconductorSCHOTTKY POWER RECTIFIER, SWITCH
MBRD660CTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660CTT4G B660TGAMI Semiconductor/onsemiMBRD650GAMI Semiconductor/onsemiMBRD660ONsemiMBRD660CT MOSElectro-Films (EFI) / VishayMBRD650TAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.