مواصفات التكنولوجيا MC33152P
المواصفات الفنية onsemi - MC33152P والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - MC33152P
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - توريد | 6.1V ~ 18V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-PDIP | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 36ns, 32ns | |
| حزمة / كيس | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.6V | |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | |
| نوع البوابة | N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Low-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 1.5A, 1.5A | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | |
| رقم المنتج الأساسي | MC33152 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi MC33152P.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MC33152P | MC33151VDR2G | MC33152DR2G | MC33152D |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| حزمة / كيس | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 36ns, 32ns | 31ns, 32ns | 36ns, 32ns | 36ns, 32ns |
| الجهد - توريد | 6.1V ~ 18V | 6.5V ~ 18V | 6.1V ~ 18V | 6.1V ~ 18V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-PDIP | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تكوين مدفوعة | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 1.5A, 1.5A | 1.5A, 1.5A | 1.5A, 1.5A | 1.5A, 1.5A |
| نوع البوابة | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| رقم المنتج الأساسي | MC33152 | MC33151 | MC33152 | MC33152 |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | Independent | Independent | Independent |
| تردد الإدخال | 2 | 2 | 2 | 2 |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.6V | 0.8V, 2.6V | 0.8V, 2.6V | 0.8V, 2.6V |
قم بتنزيل أوراق بيانات MC33152P PDF ووثائق onsemi لـ MC33152P - onsemi.
MC33151VDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICMC33152DR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
MC33152DRONsemiMC33152DonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICMC33153DGONsemiMC33152DGONsemiMC33153PonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPMC33153DR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICMC33153ONsemiMC33152DR2onsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
MC33152PGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPMC33151VDR2onsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICMC33151PGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPMC33153DonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICMC33152AMI Semiconductor/onsemiMC33152VDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICMC33153DR2onsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICMC33153DRAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.