مواصفات التكنولوجيا MGSF2N02ELT1G
المواصفات الفنية onsemi - MGSF2N02ELT1G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - MGSF2N02ELT1G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±8V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 (TO-236) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 85mOhm @ 3.6A, 4.5V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.25W (Ta) | |
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 150 pF @ 5 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 3.5 nC @ 4 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.5V, 4.5V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.8A (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | MGSF2 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi MGSF2N02ELT1G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MGSF2N02ELT1G | MGSF1P02LT1 | MGSF1N03LT3G | MGSF3441VT1 |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 85mOhm @ 3.6A, 4.5V | 350mOhm @ 1.5A, 10V | 100mOhm @ 1.2A, 10V | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | 2.4V @ 250µA | 2.4V @ 250µA | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| فغس (ماكس) | ±8V | ±20V | ±20V | - |
| رقم المنتج الأساسي | MGSF2 | MGSF1 | MGSF1 | - |
| سلسلة | - | - | - | * |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | 20 V | 30 V | - |
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.8A (Ta) | 750mA (Ta) | 1.6A (Ta) | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.25W (Ta) | 400mW (Ta) | 420mW (Ta) | - |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 3.5 nC @ 4 V | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 150 pF @ 5 V | 130 pF @ 5 V | 140 pF @ 5 V | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات MGSF2N02ELT1G PDF ووثائق onsemi لـ MGSF2N02ELT1G - onsemi.
MGSF1P02LT1onsemiMOSFET P-CH 20V 750MA SOT23-3
MGSF1P02LT1GSIPUSEMIMGSF2N02ELAMI Semiconductor/onsemiMGSF1N03LT3GonsemiMOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3MGSF3441VT1GAMI Semiconductor/onsemiMGSF1P02ELT1AMI Semiconductor/onsemiMGSF1P02ELT1GAMI Semiconductor/onsemiMGSF2P02HDAMI Semiconductor/onsemiMGSF3433VT1onsemiMGSF3433 - PFET TSOP6S 20V 0.098MGSF3441VT1onsemiP-CHANNEL MOSFETMGSF3441VTDAMI Semiconductor/onsemiMGSF2P02HDT1AMI Semiconductor/onsemiMGSF3433VT1/3TAMI Semiconductor/onsemiMGSF3433VT1MotorolaPFET TSOP6S 20V 0.098R TRMGSF2N02LT1GSIPUSEMIMGSF2N02ELT1AMI Semiconductor/onsemiMGSF2N02SIPUSEMIMGSF1P02SIPUSEMI| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.