مواصفات التكنولوجيا MTD6N15T4G
المواصفات الفنية onsemi - MTD6N15T4G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - MTD6N15T4G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 300mOhm @ 3A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.25W (Ta), 20W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1200 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 6A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | MTD6N |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi MTD6N15T4G.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MTD6N15T4G | MTD6N20ET4G | MTD6N20ET4 | MTD6P10ET4 |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | - | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1200 pF @ 25 V | 480 pF @ 25 V | 480 pF @ 25 V | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 300mOhm @ 3A, 10V | 700mOhm @ 3A, 10V | 700mOhm @ 3A, 10V | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | MTD6N | MTD6N | MTD6N | MTD6P |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.25W (Ta), 20W (Tc) | 1.75W (Ta), 50W (Tc) | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 6A (Tc) | 6A (Tc) | 6A (Tc) | - |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | DPAK | DPAK | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30 nC @ 10 V | 21 nC @ 10 V | 21 nC @ 10 V | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | - | - |
| سلسلة | - | - | - | * |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 1mA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | 200 V | 200 V | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات MTD6N15T4G PDF ووثائق onsemi لـ MTD6N15T4G - onsemi.
MTD6N20ET4GonsemiMOSFET N-CH 200V 6A DPAKMTD6N15 MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD6N20E MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD6N10RLAMI Semiconductor/onsemiMTD6N20ET4onsemiMOSFET N-CH 200V 6A DPAK
MTD803FMYSONMTD6N20EAMI Semiconductor/onsemiMTD6P10ET4onsemiMOSFET POWER P-CH -100V 6A DPAKMTD6N10E MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD6N10T4AMI Semiconductor/onsemiMTD6P10E MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD6N10VBSEMIMTD658EFMYSONMTD6N10ET4MOTOROLAMTD80N02 MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD6N15AMI Semiconductor/onsemiMTD6N15T4G MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD6N15T4onsemiMOSFET N-CH 150V 6A DPAK| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.