مواصفات التكنولوجيا MUR8100EG
المواصفات الفنية onsemi - MUR8100EG والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - MUR8100EG
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.8 V @ 8 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-2 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | SWITCHMODE™ | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 100 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 1000 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | MUR8100 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi MUR8100EG.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MUR8100EG | MUR815G | MUR7020 | MUR820 |
| الصانع | onsemi | onsemi | GeneSiC Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | 150 V | 200 V | 200 V |
| سلسلة | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 1000 V | 5 µA @ 150 V | 25 µA @ 50 V | 5 µA @ 200 V |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | TO-220-2 | DO-203AB, DO-5, Stud | TO-220-2 |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.8 V @ 8 A | 975 mV @ 8 A | 1 V @ 70 A | 975 mV @ 8 A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Through Hole |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | 8A | 70A | 8A |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-2 | TO-220-2 | DO-5 | TO-220AC |
| رقم المنتج الأساسي | MUR8100 | MUR815 | - | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 100 ns | 35 ns | 75 ns | 25 ns |
| طَرد | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
قم بتنزيل أوراق بيانات MUR8100EG PDF ووثائق onsemi لـ MUR8100EG - onsemi.
MUR815GonsemiDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR7020GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 70A DO5MUR8120AMI Semiconductor/onsemiMUR820Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACMUR805onsemiDIODE GEN PURP 50V 8A TO220-2MUR8100EHarris CorporationDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2MUR805TMUR810GonsemiDIODE GEN PURP 100V 8A TO220-2MUR820onsemiDIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2MUR815onsemiDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR8100EonsemiDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2
MUR820Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACMUR7015MOTOROLAIGBT ModuleMUR816AMI Semiconductor/onsemiMUR805GonsemiDIODE GEN PURP 50V 8A TO220-2MUR8100Harris CorporationDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220ACMUR7060GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 70A DO5MUR815Harris CorporationDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.