مواصفات التكنولوجيا MURD620CTT4G
المواصفات الفنية onsemi - MURD620CTT4G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - MURD620CTT4G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 3 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | SWITCHMODE™ | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 35 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 200 V | |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 3A | |
| رقم المنتج الأساسي | MURD620 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi MURD620CTT4G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MURD620CTT4G | MURD620CT | MURD620CTG | MURD620CT |
| الصانع | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | onsemi |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 3A | 6A | 3A | 3A |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 6 A | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| سلسلة | SWITCHMODE™ | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| رقم المنتج الأساسي | MURD620 | MURD620 | MURD620 | MURD62 |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | D-PAK (TO-252AA) | DPAK | DPAK |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات MURD620CTT4G PDF ووثائق onsemi لـ MURD620CTT4G - onsemi.
MURD620T4G U620TGAMI Semiconductor/onsemi
MURD620CTTRLPBFElectro-Films (EFI) / VishayMURD620CTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 6A DPAKMURD610CTT4GAMI Semiconductor/onsemiMURD620CTGonsemiDIODE ARRAY GP 200V 3A DPAKMURD620CTTRPBFElectro-Films (EFI) / VishayMURD620CTonsemiDIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
MURD620CT MOSIRMURD620T4GAMI Semiconductor/onsemiMURD620CT4GAMI Semiconductor/onsemiMURD860H-R/HLMURF1020SSGMURD550PFT4GonsemiDIODE GEN PURP 520V 5A DPAKMURD620CTT4AMI Semiconductor/onsemiMURD620CTPBFElectro-Films (EFI) / VishayMURD620TAMI Semiconductor/onsemiMURD620CTTRLVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 3A DPAKMURD860TW| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.