مواصفات التكنولوجيا NCP81075DR2G
المواصفات الفنية onsemi - NCP81075DR2G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NCP81075DR2G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - توريد | 8.5V ~ 20V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 8ns, 7ns | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 140°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.7V | |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 200 V | |
| نوع البوابة | N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | High-Side or Low-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 4A, 4A | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | |
| رقم المنتج الأساسي | NCP81075 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NCP81075DR2G.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NCP81075DR2G | NCP81080DR2G | NCP81075MNTXG | NCP81080MNTBG |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | Synchronous | Independent | Synchronous |
| تكوين مدفوعة | High-Side or Low-Side | Half-Bridge | High-Side or Low-Side | Half-Bridge |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 8ns, 7ns | 19ns, 17ns | 8ns, 7ns | 19ns, 17ns |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 200 V | - | 200 V | - |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-DFN (4x4) | 8-DFN (2x2) |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 140°C (TJ) | -40°C ~ 140°C (TJ) | -40°C ~ 140°C (TJ) | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| نوع البوابة | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-VDFN Exposed Pad | 8-VFDFN Exposed Pad |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 4A, 4A | 500mA, 800mA | 4A, 4A | 500mA, 800mA |
| تردد الإدخال | 2 | 2 | 2 | 2 |
| رقم المنتج الأساسي | NCP81075 | NCP81080 | NCP81075 | NCP81080 |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.7V | 1.2V, 1.8V | 0.8V, 2.7V | 1.2V, 1.8V |
| الجهد - توريد | 8.5V ~ 20V | 5.5V ~ 20V | 8.5V ~ 20V | 5.5V ~ 20V |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | TTL | Non-Inverting | TTL |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
قم بتنزيل أوراق بيانات NCP81075DR2G PDF ووثائق onsemi لـ NCP81075DR2G - onsemi.
NCP81080DR2GonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICNCP81075MNTXGonsemiIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DFN
NCP81074BDR2GONsemiNCP81080MNTBGonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFNNCP81078MNTBGonsemiIC MOSFET DRIVERNCP81074AMNTBGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNNCP81071DDR2GonsemiNCP81071 - DUAL 5 LOW -SIDE DRIVNCP81074ADR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81081MNR2GonsemiIC HALF BRIDGE DRIVER 35A 40QFNNCP81071BMNTXGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFNNCP81101AMI Semiconductor/onsemi
NCP81071BZR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOPNCP81071CDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81071BDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81101AAMI Semiconductor/onsemiNCP81075AMI Semiconductor/onsemi
NCP81075MTTXGonsemiIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10WDFNNCP81081AMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.