مواصفات التكنولوجيا NDC632P
المواصفات الفنية onsemi - NDC632P والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NDC632P
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | -8V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | SuperSOT™-6 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 140mOhm @ 2.7A, 4.5V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.6W (Ta) | |
| حزمة / كيس | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 550 pF @ 10 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.7V, 4.5V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | NDC632 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NDC632P.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NDC632P | NDC631N | NDC632P | NDC631N |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15 nC @ 4.5 V | 14 nC @ 4.5 V | 15 nC @ 4.5 V | 14 nC @ 4.5 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 550 pF @ 10 V | 365 pF @ 10 V | 550 pF @ 10 V | 365 pF @ 10 V |
| رقم المنتج الأساسي | NDC632 | - | - | NDC631 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) | 4.1A (Ta) | 2.7A (Ta) | 4.1A (Ta) |
| حزمة / كيس | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 140mOhm @ 2.7A, 4.5V | 60mOhm @ 4.1A, 4.5V | 140mOhm @ 2.7A, 4.5V | 60mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| فغس (ماكس) | -8V | 8V | -8V | 8V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.7V, 4.5V | 2.7V, 4.5V | 2.7V, 4.5V | 2.7V, 4.5V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
قم بتنزيل أوراق بيانات NDC632P PDF ووثائق onsemi لـ NDC632P - onsemi.
NDC632P_NL MOSFairchild (onsemi)NDC651N MOSFairchild (onsemi)NDC631NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6NDC632PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.7A SUPERSOT6NDC631NonsemiMOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6NDC652P MOSFairchild (onsemi)NDC652Fairchild (onsemi)NDC631N MOSFairchild (onsemi)NDC652P_NLFairchild (onsemi)NDC632NFairchild (onsemi)NDC631N-NLFairchild (onsemi)NDC632P MOSFairchild (onsemi)NDC652PonsemiMOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6NDC652P-NLFairchild (onsemi)
NDC3105LT1GonsemiIC PWR DRIVER SOT23-3NDC651NonsemiMOSFET N-CH 30V 3.2A SUPERSOT6NDC651N-NLNDC652PCT-NDFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.