مواصفات التكنولوجيا NDH832P
المواصفات الفنية onsemi - NDH832P والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NDH832P
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | -8V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | SuperSOT™-8 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 60mOhm @ 4.2A, 4.5V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.8W (Ta) | |
| حزمة / كيس | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1000 pF @ 10 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.7V, 4.5V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | NDH832 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NDH832P.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NDH832P | BSS84PH6433XTMA1 | IRF9328TRPBF | NDH832P |
| الصانع | onsemi | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor |
| حزمة / كيس | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| فغس (ماكس) | -8V | ±20V | ±20V | -8V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1000 pF @ 10 V | 19 pF @ 25 V | 1680 pF @ 25 V | 1000 pF @ 10 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.8W (Ta) | 360mW (Ta) | 2.5W (Ta) | 1.8W (Ta) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | 2V @ 20µA | 2.4V @ 25µA | 1V @ 250µA |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.7V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 2.7V, 4.5V |
| تجار الأجهزة حزمة | SuperSOT™-8 | PG-SOT23 | 8-SO | SuperSOT™-8 |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30 nC @ 4.5 V | 1.5 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 30 nC @ 4.5 V |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 60mOhm @ 4.2A, 4.5V | 8Ohm @ 170mA, 10V | 11.9mOhm @ 12A, 10V | 60mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| رقم المنتج الأساسي | NDH832 | BSS84 | IRF9328 | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) | 170mA (Ta) | 12A (Tc) | 4.2A (Ta) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | 60 V | 30 V | 20 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| سلسلة | - | SIPMOS® | HEXFET® | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات NDH832P PDF ووثائق onsemi لـ NDH832P - onsemi.
BSS84PH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
NDH8303NNSNDH8304P MOSFairchild (onsemi)IRF9328TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 12A 8SONDH8301NFAIRCHILNDH8304Fairchild (onsemi)NDH834PFairchild (onsemi)NDH8304PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETNDH831NFairchild (onsemi)NDH831N MOSNSNDH832PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8NDH832P MOSNSNDH8304PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8NDH8501NFSC
SPD30N03S2L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A TO252-3NDH8520CNSNDH8502P MOSNSNDH8502PFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFET| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.