مواصفات التكنولوجيا NSVBAS21SLT1G
المواصفات الفنية onsemi - NSVBAS21SLT1G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NSVBAS21SLT1G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.25 V @ 200 mA | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 250 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 (TO-236) | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 50 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 225mA | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 5pF @ 0V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | NSVBAS21 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NSVBAS21SLT1G.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NSVBAS21SLT1G | NSVBAT54WT1G | NSVBAS21M3T5G | NSVBAS21HT1G |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 5pF @ 0V, 1MHz | 10pF @ 1V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz |
| سلسلة | - | Automotive | Automotive, AEC-Q101 | - |
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SC-70, SOT-323 | SOT-723 | SC-76, SOD-323 |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 200 V | 2 µA @ 25 V | 100 nA @ 200 V | 100 nA @ 200 V |
| تكنولوجيا | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 (TO-236) | SC-70-3 (SOT323) | SOT-723 | SOD-323 |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 250 V | 30 V | 250 V | 250 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.25 V @ 200 mA | 800 mV @ 100 mA | 1.25 V @ 200 mA | 1.25 V @ 200 mA |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 50 ns | 5 ns | 50 ns | 50 ns |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| رقم المنتج الأساسي | NSVBAS21 | NSVBAT54 | NSVBAS21 | NSVBAS21 |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 225mA | 200mA | 200mA | 200mA |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
قم بتنزيل أوراق بيانات NSVBAS21SLT1G PDF ووثائق onsemi لـ NSVBAS21SLT1G - onsemi.
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74NSVBAT54WT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70-3
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiTRANS 2PNP BIPO 60V SOT564NSVBAS21M3T5GonsemiDIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723NSVBAT54SWT1GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323NSVBAS21HT1GonsemiDIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323NSVBA114YDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSVBAS20LT3GONsemi
NSVBAT54HT1GRochester Electronics, LLCNSVBAT54H - SCHOTTKY BARRIER DIONSVB143ZPDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563NSVBAT54M3T5GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723NSVBAS21TMR6T2GonsemiDIODE SWITCHING 250V SC-74NSVBAS21HT3GonsemiDIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323NSVBAT54HT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323NSVBAS16W1T1GONsemiNSVBAT54LT1GONsemiNSVBAS21AHT1GonsemiDIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
NSVBAS70LT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.