مواصفات التكنولوجيا NTD5862NT4G
المواصفات الفنية onsemi - NTD5862NT4G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NTD5862NT4G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 5.7mOhm @ 45A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 115W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 6000 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 82 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 98A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NTD5862NT4G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NTD5862NT4G | NTD5805NT4G | NTD5806NT4G | NTD5865NLT4G |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 5.7mOhm @ 45A, 10V | 9.5mOhm @ 15A, 10V | 19mOhm @ 15A, 10V | 16mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 115W (Tc) | 47W (Tc) | 40W (Tc) | 71W (Tc) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | DPAK | DPAK | DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 98A (Tc) | 51A (Tc) | 33A (Tc) | 46A (Tc) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 6000 pF @ 25 V | 1725 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V | 1400 pF @ 25 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 82 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 40 V | 40 V | 60 V |
NTD5862NT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD5805NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 51A DPAKNTD5865NLGAMI Semiconductor/onsemiNTD5806NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 33A DPAKNTD5804NT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD5862N MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD5865NLAMI Semiconductor/onsemiNTD5865NLT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 46A DPAKNTD5807NAMI Semiconductor/onsemiNTD5862NAMI Semiconductor/onsemiNTD5807NT4GonsemiMOSFET N-CH 40V 23A DPAKNTD5805NAMI Semiconductor/onsemiNTD5865NT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 43A DPAK
NTD5865NL-1GonsemiMOSFET N-CH 60V 46A IPAK
NTD5865N-1GonsemiMOSFET N-CH 60V 43A DPAKNTD5867N LT4GAMI Semiconductor/onsemiNTD5862NT4G 5862NGAMI Semiconductor/onsemiNTD5806NAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.