مواصفات التكنولوجيا NTGD3149CT1G
المواصفات الفنية onsemi - NTGD3149CT1G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NTGD3149CT1G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 6-TSOP | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 60mOhm @ 3.5A, 4.5V | |
| السلطة - ماكس | 900mW | |
| حزمة / كيس | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 387pF @ 10V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 5.5nC @ 4.5V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.2A, 2.4A | |
| ترتيب | N and P-Channel | |
| رقم المنتج الأساسي | NTGD31 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NTGD3149CT1G.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NTGD3149CT1G | NTGD3133PT1G | NTGD4167CT1G | NTGD4161PT1G |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 5.5nC @ 4.5V | 5.5nC @ 4.5V | 5.5nC @ 4.5V | 7.1nC @ 10V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| ترتيب | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
| حزمة / كيس | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | 20V | 30V | 30V |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 387pF @ 10V | 400pF @ 10V | 295pF @ 15V | 281pF @ 15V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تجار الأجهزة حزمة | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | 1.4V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 60mOhm @ 3.5A, 4.5V | 145mOhm @ 2.2A, 4.5V | 90mOhm @ 2.6A, 4.5V | 160mOhm @ 2.1A, 10V |
| السلطة - ماكس | 900mW | 560mW | 900mW | 600mW |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.2A, 2.4A | 1.6A | 2.6A, 1.9A | 1.5A |
| رقم المنتج الأساسي | NTGD31 | NTGD31 | NTGD4167 | NTGD41 |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
قم بتنزيل أوراق بيانات NTGD3149CT1G PDF ووثائق onsemi لـ NTGD3149CT1G - onsemi.
NTGS3136PONsemiNTGS3130NAMI Semiconductor/onsemiNTGD4167PT1GAMI Semiconductor/onsemiNTGS3130NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOPNTGS3136PT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTGS3433T1GonsemiMOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOPNTG3443T1GAMI Semiconductor/onsemiNTGS3136PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOPNTG3441T1GAMI Semiconductor/onsemiNTGS3433T1onsemiMOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOPNTGD3133PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOPNTGD3147FT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOPNTGD4167CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOPNTGD4169FT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOPNTG3443T1AMI Semiconductor/onsemiNTGD4161PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOPNTGD3148NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOPNTGD1100LT1GonsemiIC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.