مواصفات التكنولوجيا NTLGD3502NT1G
المواصفات الفنية onsemi - NTLGD3502NT1G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NTLGD3502NT1G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 6-DFN (3x3) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 60mOhm @ 4.3A, 4.5V | |
| السلطة - ماكس | 1.74W | |
| حزمة / كيس | 6-VDFN Exposed Pad | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 480pF @ 10V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 4nC @ 4.5V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.3A, 3.6A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | NTLGD35 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NTLGD3502NT1G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NTLGD3502NT1G | NTLJD3115PT1G | NTLJD3115PTAG | NTLGD3502NT2G |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | 6-DFN (3x3) | 6-WDFN (2x2) | 6-WDFN (2x2) | 6-DFN (3x3) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| حزمة / كيس | 6-VDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | 20V | 20V | 20V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 4nC @ 4.5V | 6.2nC @ 4.5V | 6.2nC @ 4.5V | 4nC @ 4.5V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 60mOhm @ 4.3A, 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 60mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| رقم المنتج الأساسي | NTLGD35 | NTLJD3115 | NTLJD31 | NTLGD3502 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.3A, 3.6A | 2.3A | 2.3A | 4.3A, 3.6A |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| السلطة - ماكس | 1.74W | 710mW | 710mW | 1.74W |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 480pF @ 10V | 531pF @ 10V | 531pF @ 10V | 480pF @ 10V |
قم بتنزيل أوراق بيانات NTLGD3502NT1G PDF ووثائق onsemi لـ NTLGD3502NT1G - onsemi.
NTLGF3402PT2GonsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
NTLG26115A/ANuvoton Technology CorporationNTLJD3115PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
NTLD7900ZR2AMI Semiconductor/onsemiNTLJD3115PTAGonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFNNTLJF3117PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFNNTLJD3119CT1GAMI Semiconductor/onsemiNTLGD3502NT2GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFNNTLJD3115PTAMI Semiconductor/onsemiNTLJF4156NTAMI Semiconductor/onsemiNTLJD2105LTBGonsemiMOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFNNTLJF3117PRT1GAMI Semiconductor/onsemiNTLJD4116NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTLJD3115PT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTLJD3119CTAGonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6WDFNNTLJD3119CTBG MOSAMI Semiconductor/onsemiNTLJD4116NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFNNTLJD3119CTBGonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6WDFN| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.