مواصفات التكنولوجيا NTMC083NP10M5L
المواصفات الفنية onsemi - NTMC083NP10M5L والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NTMC083NP10M5L
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 1.6W (Ta), 3.1W (Tc) | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 222pF @ 50V, 525pF @ 50V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc) | |
| ترتيب | N and P-Channel | |
| رقم المنتج الأساسي | NTMC083 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NTMC083NP10M5L.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NTMC083NP10M5L | NTMD3P03R2G | NTMD3P03R2 | NTMD2P01R2G |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 222pF @ 50V, 525pF @ 50V | 750pF @ 24V | - | 750pF @ 16V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V | 85mOhm @ 3.05A, 10V | - | 100mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| ترتيب | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | - | 2 P-Channel (Dual) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc) | 2.34A | - | 2.3A |
| FET الميزة | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V | 25nC @ 10V | - | 18nC @ 4.5V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100V | 30V | - | 16V |
| رقم المنتج الأساسي | NTMC083 | NTMD3 | NTMD3 | NTMD2P |
| السلطة - ماكس | 1.6W (Ta), 3.1W (Tc) | 730mW | - | 710mW |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-SOIC | - | 8-SOIC |
| سلسلة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات NTMC083NP10M5L PDF ووثائق onsemi لـ NTMC083NP10M5L - onsemi.
NTMD3P03R2GonsemiMOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOICNTMD3P03R2onsemiMOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOICNTMD2P01R2GonsemiMOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOICNTM2369-T2BNECNTMD2C02R2onsemiMOSFET N/P-CH 20V 8SOICNTMD3N03MOTNTM2369-T1BNEC
NTMD4184PFAMI Semiconductor/onsemiNTM3906NECNTMD4102PR2GVBSEMINTM2369NECNTMD3N08LR2GVBSEMINTMD2C02R2GonsemiMOSFET N/P-CH 20V 8SOICNTMD4184PAMI Semiconductor/onsemiNTMC1300R2onsemiMOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
NTM88H135T1NXP SemiconductorsNTMD4184PFR2GonsemiDUAL P-CHANNEL FETKY POWER MOSFENTMD3N08LR2onsemiMOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.