مواصفات التكنولوجيا NTMD6601NR2G
المواصفات الفنية onsemi - NTMD6601NR2G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NTMD6601NR2G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 215mOhm @ 2.2A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 600mW | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 400pF @ 25V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15nC @ 10V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 80V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.1A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | NTMD66 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NTMD6601NR2G.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NTMD6601NR2G | NTMD5836NLR2G | NTMD5838NLR2G | NTMD6P02R2 |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| رقم المنتج الأساسي | NTMD66 | NTMD58 | NTMD5838 | NTMD6P |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.1A | 9A, 5.7A | 7.4A | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15nC @ 10V | 50nC @ 10V | 17nC @ 10V | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| السلطة - ماكس | 600mW | 1.5W | 2.1W | - |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 80V | 40V | 40V | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 215mOhm @ 2.2A, 10V | 12mOhm @ 10A, 10V | 25mOhm @ 7A, 10V | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 400pF @ 25V | 2120pF @ 20V | 785pF @ 20V | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات NTMD6601NR2G PDF ووثائق onsemi لـ NTMD6601NR2G - onsemi.
NTMD6N03R2G MOSAMI Semiconductor/onsemi
NTMD5838NVBSEMINTMD5836NLR2GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FLNTMD4N03R2G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMD5838NLR2GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOICNTMD6N03AMI Semiconductor/onsemiNTMD6P02R2onsemiMOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOICNTMD6N02R2GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOICNTMD6N04R2GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOICNTMD6N03R2GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICNTMD4N03R2GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOICNTMD6N03R2onsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICNTMD4N03R2onsemiMOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOICNTMD5836NLAMI Semiconductor/onsemiNTMD5838NLAMI Semiconductor/onsemiNTMD6N04AMI Semiconductor/onsemiNTMD6P02R2GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOICNTMD5838NLR2G MOSAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.