مواصفات التكنولوجيا NTMFD4C87NT1G
المواصفات الفنية onsemi - NTMFD4C87NT1G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NTMFD4C87NT1G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.2V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-DFN (5x6) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 5.4mOhm @ 30A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 1.1W | |
| حزمة / كيس | 8-PowerTDFN | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1252pF @ 15V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 22.2nC @ 10V | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11.7A, 14.9A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| رقم المنتج الأساسي | NTMFD4 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NTMFD4C87NT1G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NTMFD4C87NT1G | NTMFD4C85NT1G | NTMFD4C86NT3G | NTMFD4C20NT1G |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 22.2nC @ 10V | 32nC @ 10V | 22.2nC @ 10V | 9.3nC @ 4.5V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 5.4mOhm @ 30A, 10V | 3mOhm @ 20A, 10V | 5.4mOhm @ 30A, 10V | 7.3mOhm @ 10A, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) |
| السلطة - ماكس | 1.1W | 1.13W | 1.1W | 1.09W, 1.15W |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| حزمة / كيس | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-DFN (5x6) | 8-DFN (5x6) | 8-DFN (5x6) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.2V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.1V @ 250µA |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1252pF @ 15V | 1960pF @ 15V | 1153pF @ 15V | 970pF @ 15V |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | NTMFD4 | NTMFD4 | NTMFD4 | NTMFD4 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11.7A, 14.9A | 15.4A, 29.7A | 11.3A, 18.1A | 9.1A, 13.7A |
| FET الميزة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات NTMFD4C87NT1G PDF ووثائق onsemi لـ NTMFD4C87NT1G - onsemi.
NTMFS005P03P8ZT1GONsemiNTMFD4H089NFT1GAMI Semiconductor/onsemiNTMFD5C650NLT1GONsemiNTMFS008N12MCT1GonsemiSINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12NTMFD4C86NFT1GAMI Semiconductor/onsemiNTMFD4C86NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMFD4C85NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8DFNNTMFD4C85NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMFS006N12MCT1GONsemiNTMFS005N10MCLT1GONsemiNTMFD4C86NT3GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 11.3/18.1A 8DFNNTMFD4C50NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DLNTMFS002P03P8ZT1GonsemiMOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SONTMFD4C20NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V SO8FLNTMFD5C674NLT1GonsemiT6 60V LL S08FL DSNTMFD4C86NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8DFNNTMFD4C85NAMI Semiconductor/onsemiNTMFD4H088NFT1GAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.